[发明专利]行锤击检测和避免

说明书

本公开涉及行锤击检测和避免。用于检测包括布置成多行的多个存储器单元的存储器中的行锤击的系统和方法可以包括：多个检测单元，该多个检测单元位于存储器单元的主体行中，检测单元将被设置为相应的初始状态，并被配置为响应于存储器单元的相邻行中的存储器单元的激活而转变为不同于其初始状态的状态；比较电路，该比较电路用于将检测单元的当前状态与检测单元的初始状态进行比较，并确定检测单元中的任何一个检测单元是否具有不同于其对应的初始状态的当前状态；以及触发电路，该触发电路用于基于检测到主体行中的检测单元具有不同于其对应的初始状态的当前状态，来触发对主体行中的存储器单元的刷新。

背景技术

存储器设备包括存储数据值的存储器单元。存储器设备的示例类型是动态随机存取存储器(DRAM)设备。随着存储器制造技术的进步，存储器单元的特征尺寸已经减小，以增加存储器设备中的存储器单元的密度。增加存储器单元密度提供了存储器设备中增加的存储容量。然而，此增加的密度也可由于例如寄生效应而导致数据损失。其他因素也可导致RAM存储器单元中的数据损失。

一些传统的数据损失的解决方案依赖于错误修正技术。然而，在存在大量翻转位的情况下，这些错误修正技术可能是无效的。另一种解决方案依赖于更频繁的存储器刷新来将电荷水平调整到其原始值。然而，更频繁的存储器刷新通常意味着更高的功耗、降低的性能和增加的处理成本。又一种解决方案依赖于计数器来识别频繁访问的存储器行，并且只主动刷新邻近频繁访问的存储器行的行。这限制了可发生的附加刷新的量。

附图说明

根据一个或多个各种实施例，参考以下附图详细描述本公开。仅出于说明的目的而提供附图，并且附图仅描绘了典型的或示例实施例。

图1示出了利用其可以实现实施例的示例存储器设备。

图2示出了根据各种实施例的用于具有添加的检测位的DRAM存储器行的示例配置。

图3示出了根据各种实施例的可用于执行行锤击(row hammer)检测的示例处理电路。

图4示出了根据各种实施例的用于检测位比较的功能框图。

图5是可用于实现本公开中描述的实施例的各种特征的示例计算组件。

附图并不是穷尽的，并且不将本公开限制于所公开的精确形式。

具体实施方式

动态随机存取存储器(DRAM)设备的基于电容器的存储器单元通过存储表示对应的存储数据的电荷来存储数据。随着存储容量的增加，包括DRAM单元的存储器单元的尺寸已经减小。这些物理上较小的单元限于存储相应较小的电荷。这导致较低的噪声容限和单元之间或单元与DRAM电路的其它部分之间的寄生相互作用的较高可能性。表现为从一个单元到相邻行中的邻近单元电荷泄露，或者从其它DRAM电路到相邻单元的电荷泄露的这种相互作用可导致这些邻近单元的存储器内容的非预期改变。存储器内容的这种非预期改变导致数据损失。存储数据的这些变化有时被称为软存储器错误或干扰错误。

为了防止这些损失，可以周期性地刷新DRAM设备的存储器单元，以将单元中的电荷恢复到适当的水平。这种刷新涉及读取存储在存储器单元中的数据，并将数据重写回相同的存储器单元。然而，频繁的DRAM行激活可导致非预期改变，从而导致比刷新率更频繁的数据损失。在这种情况下，周期性的刷新间隔可能不足以维护存储数据。频繁或重复的DRAM行激活可导致有时被称为“行锤击效应”的现象，当给定DRAM行中的快速激活导致高于相邻或其它邻近行中的存储器单元中的电容器的正常放电率时发生这种现象。给定行中的这些频繁激活可导致相邻行或其他邻近行中的这些存储器单元改变状态，从而破坏存储在这些邻近行中的数据。

本公开的实施例向DRAM行添加附加单元，并且这些附加单元可以用于检测行锤击。附加单元可以被配置为更易受寄生相互作用的影响(例如，存储较小的电荷水平或对寄生效应更敏感)，使得该附加单元更有可能在实际数据存储器单元翻转状态之前翻转状态。