[发明专利]光感测装置的光感测单元在审
| 申请号: | 202110382748.2 | 申请日: | 2021-04-09 |
| 公开(公告)号: | CN115207003A | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
| 发明(设计)人: | 林圣佳;蔡清丰 | 申请(专利权)人: | 和鑫光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀锋 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光感测 装置 单元 | ||
本发明公开了一种光感测装置的光感测单元,包括光感测元件以及开关元件。光感测元件包括栅极、半导体层、栅极绝缘层、源极以及漏极。栅极与半导体层设置于基板上,栅极绝缘层将栅极与半导体层分隔开,且源极与漏极分别连接于半导体层。源极以及漏极的其中至少一个由光通过导电层所形成。半导体层设置于源极以及漏极的其中一个与栅极之间,并且沿着基板的法线方向观看,栅极重叠于源极以及漏极的所述其中一个,且栅极不重叠于源极以及漏极的其中另一个。
技术领域
本发明涉及一种光感测装置的光感测单元。
背景技术
光感测装置由于具有多个以阵列排列的光感测元件而能够应用于影像侦测、光学触控、X光检测等领域中。随着侦测到的影像解析度需求越高,甚至为了达到侦测指纹影像的目的,光感测元件需不断地缩小,以提升光感测元件的密度。然而,光感测元件的缩小会影响光感测元件的受光面积,进而降低信噪比(signal-to-noise ratio,SNR),以至于降低影像的清晰度。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提升光感测元件的信噪比,以改善光感测装置的影像解析度。
本发明的一实施例提供一种光感测装置的光感测单元,包括光感测元件以及开关元件。光感测元件包括第一栅极、第一半导体层、栅极绝缘层、第一源极以及第一漏极。第一栅极设置于基板上,第一半导体层设置于基板上,栅极绝缘层将第一栅极与第一半导体层分隔开,且第一源极与第一漏极分别连接于第一半导体层。第一源极以及第一漏极的其中至少一个由光通过导电层所形成。第一半导体层设置于第一源极以及第一漏极的其中一个与第一栅极之间,并且沿着基板的法线方向观看,第一栅极重叠于第一源极以及第一漏极的所述其中一个,且第一栅极不重叠于第一源极以及第一漏极的其中另一个。开关元件电连接光感测元件,其中开关元件包括第二源极以及第二漏极。
附图说明
图1所示为本发明一实施例的光感测元件的俯视示意图;
图2所示为本发明一实施例的光感测单元的剖视示意图;
图3所示为本发明另一实施例的光感测单元的剖视示意图;
图4所示为本发明一实施例的光感测单元的电路示意图;
图5所示为本发明一实施例的光感测装置的电路示意图;
图6所示为本发明一实施例的光感测装置的剖视示意图;
图7所示为本发明另一实施例的光感测装置的电路示意图;
图8所示为本发明另一实施例的光感测单元的剖视示意图;
图9所示为本发明另一实施例的光感测元件的俯视示意图;
图10所示为本发明另一实施例的光感测元件的俯视示意图;以及
图11所示为本发明另一实施例的光感测元件的俯视示意图。
其中,附图标记说明如下:
1、2 光感测装置
10、30 光感测单元
12、32、42、52、62 光感测元件
121、141 栅极
122、142 半导体层
123 栅极绝缘层
124、143 源极
125、144 漏极
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





