[发明专利]具有调整的偏移缓冲器的电流镜布置

权利要求书

1.一种电子设备，包括电流镜布置，所述电流镜布置包括：

电流镜电路，包括在所述电流镜电路的输入处的晶体管Q1和在所述电流镜电路的输出处的晶体管Q2；

电阻器R0P；

缓冲放大器电路，包括布置成菱形缓冲器配置的晶体管QD1P、QD1N、QD2P和QD2N；和

电流源QBP0、QBN0、QBP1和QBN1，

其中:

晶体管Q1、Q2、QD1P、QD1N、QD2P和QD2N中的每一个具有第一端子、第二端子和第三端子，

所述缓冲放大器电路的输入耦合到所述晶体管Q1的第一端子，

所述缓冲放大器电路的输出耦合到所述晶体管Q2的第一端子，

所述电流源QBP0耦合到所述晶体管QD1P的第三端子，

所述电阻器R0P的第一端子耦合到所述电流源QBP0和所述晶体管QD1P的第三端子，

所述电阻器R0P的第二端子耦合到所述电流源QBP1和所述晶体管QD2N的第一端子，

所述电流源QBN0耦合到所述晶体管QD1N的第三端子，

所述电流源QBP1耦合到所述晶体管QD2N的第一端子，以及

所述电流源QBN1耦合到所述晶体管QD2P的第一端子。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述电流源QBP0、QBN0、QBP1和QBN1被配置为输出电流使得：

所述电流源QBP0输出的电流IP0等于所述电流源QBN1输出的电流IN1，以及

所述电流源QBP1输出的电流IP1等于所述电流源QBN0输出的电流IN0。

3.根据权利要求2所述的电子设备，其中:

所述晶体管QD2N和QD1N是双极晶体管，

所述缓冲放大器电路输出处的电流等于所述电流IP0和所述电流IP1之和的M倍，以及

M是大于0的正数，指示晶体管QD2N的发射极面积与晶体管QD1N的发射极面积之比。

4.根据权利要求2所述的电子设备，其中所述晶体管QD1P、QD1N、QD2P和QD2N彼此耦合以使得：

所述电流IP0在所述晶体管QD1P的第三端子处与所述电流IP1合并。

5.根据权利要求1所述的电子设备，其中:

所述电流镜布置还包括电阻器R1P，

所述电阻器R1P耦合在所述晶体管QD2P的第三端子和所述缓冲放大器电路的输出之间，以及

所述电阻器R0P的电阻等于所述电阻器R1P的电阻的2M倍，

其中M是大于0的正数，当晶体管QD2N和QD1N是双极型晶体管时，其指示晶体管QD2N的发射极面积与晶体管QD1N的发射极面积之比，以及当晶体管QD2N和QD1N是场效应晶体管时，其指示晶体管QD2N的纵横比与晶体管QD1N的纵横比之比。

6.根据权利要求5所述的电子设备，其中:

所述电流镜布置还包括电阻器R1N，以及

所述电阻器R1N耦合在所述晶体管QD2N的第三端子和所述缓冲放大器电路的输出之间。

7.根据权利要求6所述的电子设备，其中:

所述电阻器R0P的电阻等于所述电阻器R1N的电阻的2M倍。

8.根据权利要求6所述的电子设备，其中:

所述电流镜布置还包括电阻器R0N，

所述晶体管QD2P的第一端子通过电阻器R0N耦合到所述晶体管QD1N的第三端子，以及

所述电阻器R0N的电阻等于所述电阻器R0P的电阻。

9.根据权利要求8所述的电子设备，其中:

所述电阻器R0N的电阻等于所述电阻器R1N的电阻的2M倍。