[发明专利]一种新型的IGBT并联驱动电路

权利要求书

1.一种新型的IGBT并联驱动电路，其特征在于，所述电路包含电压采样模块、隔离开关电源、数字信号隔离模块、数字控制单元、温度采样单元、数控电流源、短路保护单元；

所述电压采样模块、所述隔离开关电源、所述数字信号隔离模块、所述温度采样模块、所述数控电流源、所述短路保护单元均与所述数字控制单元电连接；

所述数控电流源包括数控电流源一和数控电流源二；

所述电路还包括第一电路和第二电路，所述数字控制单元的一端与所述第一电路和所述第二电路连接；

所述第一电路包括开关管Q1、Q2，以及门极参数调整单元一、发射极补偿单元一；

所述门极参数调整单元一包括并联的第一支路和第二支路，所述第一支路包括串联的开关S1和电阻R1，所述第二支路包括电阻R2；

所述发射极补偿单元一包括电阻R4；

所述开关管Q1和所述开关管Q2的门极相连并连接至所述数字控制单元上，所述开关管Q1和所述开关管Q2的发射极相连后，与所述门极参数调整单元一相连，所述开关管Q1的集电极连接有电源VCC，所述开关管Q2的集电极接地，所述门极参数调整单元一的另一端连接有IGBT1，所述IGBT1的门极通过所述门极参数调整单元一与所述开关管Q1的发射极相连，所述IGBT1的发射极通过电阻R3后接地，所述发射极补偿单元一连接所述IGBT1的发射极和数控电流源一，所述IGBT1的发射极和集电极经由开关管T1连接，所述开关管T1的正极与所述IGBT1的发射极连接，所述开关管T1的负极与所述IGBT1的集电极连接；

所述第二电路与所述第一电路的结构相同，所述第一电路中的IGBT1的发射极和所述第二电路中的IGBT2的发射极相连，所述第一电路中的IGBT1的集电极和所述第二电路中的IGBT2的集电极相连；

所述电压采样模块，对各开关管的门极G、集电极C、发射极E电压进行采样；

所述隔离开关电源，产生高低压间隔离电源；

所述数字信号隔离模块，对高低压间数字信号进行隔离传输；

所述温度采样单元，对IGBT内置NTC热敏电阻进行AD采样。

2.根据权利要求1所述的新型的IGBT并联驱动电路，其特征在于，所述电压采样模块为AD采样电路拓扑。

3.根据权利要求2所述的新型的IGBT并联驱动电路，其特征在于，所述隔离开关电源为反激、正激等多种开关电源拓扑。

4.根据权利要求3所述的新型的IGBT并联驱动电路，其特征在于，所述数字控制单元通过控制所述门极参数调整单元，可以对所述开关管T1、T2的门极驱动参数进行调整，使所述开关管的门极动作特性趋于一致。

5.根据权利要求4所述的新型的IGBT并联驱动电路，其特征在于，所述数字控制单元通过调整所述开关管T1、T2的输出信号时序，可以使所述开关管T1、T2的门极动作时间趋于同步。

6.根据权利要求5所述的新型的IGBT并联驱动电路，其特征在于，所述数字控制单元具备快速并行处理能力，为CPLD、FPGA。