[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有分立的位线结构；

在所述位线结构间隙底部的所述基底表面上形成第一牺牲层；

形成填充所述分立的位线结构间隙的第二牺牲层，所述第二牺牲层位于所述第一牺牲层顶部，且所述第一牺牲层和所述第二牺牲层的材料不相同；

图形化所述第二牺牲层和所述第一牺牲层形成开口，在所述位线结构延伸的方向上，形成的所述开口和剩余所述第二牺牲层交替排布；

形成填充所述开口的介质层；

去除剩余的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层形成电容接触孔，在所述位线结构延伸的方向上，形成的所述电容接触孔和所述介质层交替排布。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述位线结构间隙底部的所述基底表面上形成第一牺牲层，包括以下步骤：

形成覆盖所述位线结构顶部和侧壁，以及覆盖所述位线结构间隙底部所述基底的第一牺牲膜；

去除位于所述位线结构顶部和侧壁的所述第一牺牲膜，剩余所述第一牺牲膜构成所述第一牺牲层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲膜采用原子层沉积的方式形成。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成的所述第一牺牲层的厚度范围为3～10nm。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层的厚度比小于或等于1：10。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述位线结构间隙底部的所述基底表面上形成第一牺牲层，包括以下步骤：

在所述位线结构间隙底部的所述基底表面上形成第一子牺牲层；

在所述第一子牺牲层的顶部表面形成第二子牺牲层，所述第一子牺牲层的材料与所述第二子牺牲层的材料不同，所述第一子牺牲层与所述第二子牺牲层共同构成所述第一牺牲层。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成填充所述分立的位线结构间隙的第二牺牲层，包括以下步骤：

在所述第一牺牲层表面形成填充所述位线结构间隙且覆盖所述位线结构的第二牺牲膜；

对所述第二牺牲膜进行平坦化处理，直至剩余所述第二牺牲膜的高度与所述位线结构的高度一致，剩余所述第二牺牲膜构成所述第二牺牲层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二牺牲膜采用化学气相沉积的方式形成。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料和所述第二牺牲层的材料被同一刻蚀材料刻蚀的刻蚀选择比大于5：1。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的致密度小于所述第二牺牲层的材料的致密度。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述第二牺牲层和所述第一牺牲层形成开口，包括以下步骤：

在所述第二牺牲层顶部表面形成图形化的光刻胶；

基于所述图形化的光刻胶去除部分所述第二牺牲层形成预开口，在所述位线结构延伸的方向上，形成的所述预开口和剩余所述第二牺牲层交替排布；

去除所述预开口暴露出的所述第一牺牲层，形成所述开口。

12.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述第二牺牲层和所述第一牺牲层形成开口，包括以下步骤：

在所述第二牺牲层顶部表面形成图形化的光刻胶；

基于所述图形化的光刻胶，采用同一刻蚀材料去除部分所述第二牺牲层和所述第一牺牲层，形成所述开口。