[发明专利]半导体装置、存储设备、及晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

衬底；

所述衬底上的栅极绝缘层；

积层半导体层，具有：第1层，形成在所述栅极绝缘层上，并且包含掺杂有磷的多晶半导体；第2层，形成在所述第1层上，并且包含掺杂有碳的多晶半导体；及第3层，形成在所述第2层上，并且包含掺杂有磷或未掺杂磷的多晶半导体；以及

所述积层半导体层上或所述积层半导体层的上方的金属层；且

所述第3层的磷含量少于所述第1层的磷含量，或所述第3层中不含磷。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

在所述第3层与所述金属层之间还具有氧化层。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中

所述金属层是具有从所述积层半导体层侧起依次配置的硅化钨层及氮化钛层的积层体。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中

所述金属层形成在所述第3层上，且

所述金属层是具有从所述积层半导体层侧起依次配置的钛层、氮化钛层及钨层的积层体。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述半导体装置还具有NMOS晶体管与PMOS晶体管，

所述衬底还具有P型井部与N型井部，

所述NMOS晶体管形成在所述P型井部上，且包含所述栅极绝缘层、所述积层半导体层及所述金属层，

所述PMOS晶体管形成在所述N型井部上。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中

所述P型井部具备第1N型扩散层与第2N型扩散层，

所述第1N型扩散层与所述第2N型扩散层沿着所述衬底的表面彼此隔开，

所述栅极绝缘层形成在所述第1N型扩散层与所述第2N型扩散层之间。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中

所述衬底包含将所述P型井部与所述N型井部电分离的分离部。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中

所述栅极绝缘层、所述积层半导体层及所述金属层各自的侧面被绝缘层覆盖。

9.一种存储设备，具有：

1个以上存储单元晶体管；及

周边电路，包含NMOS晶体管，且能够控制所述存储单元晶体管；

所述NMOS晶体管具备：

栅极绝缘层，形成在衬底上；

积层半导体层，具有：第1层，形成在所述栅极绝缘层上，并且包含掺杂有磷的多晶半导体；第2层，形成在所述第1层上，并且包含掺杂有碳的多晶半导体；及第3层，形成在第2层上，并且包含掺杂有磷或未掺杂磷的多晶半导体；以及

所述积层半导体层上或所述积层半导体层的上方的金属层；且

所述第3层的磷含量少于所述第1层的磷含量，或不含磷。

10.根据权利要求9所述的存储设备，其中

所述周边电路还包含PMOS晶体管，

所述衬底包含P型井部与N型井部，

所述NMOS晶体管形成在所述P型井部上，

所述PMOS晶体管形成在所述N型井部上。

11.根据权利要求10所述的存储设备，其中

所述P型井部与所述N型井部通过分离部彼此电分离。

12.根据权利要求11所述的存储设备，其中

所述NMOS晶体管与所述PMOS晶体管隔着所述分离部彼此相邻。

13.根据权利要求9所述的存储设备，其中

所述P型井部包含沿着所述衬底的表面彼此分离的第1N型扩散层与第2N型扩散层，且

所述栅极绝缘层位于所述第1N型扩散层与所述第2N型扩散层之间的所述表面上。