[发明专利]双联磁差电机载流畸变相干抑制法在审
| 申请号: | 202110225043.X | 申请日: | 2021-03-01 |
| 公开(公告)号: | CN112803645A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
| 发明(设计)人: | 吴官举 | 申请(专利权)人: | 吴官举 |
| 主分类号: | H02K3/28 | 分类号: | H02K3/28 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 725700 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 双联磁差电 机载 畸变 相干 抑制 | ||
1.本发明方案公开一种干涉法抑制磁差电机载流畸变的技术方案,原理是利用双联磁差电机拓扑对偶的电枢产生的相干反向电动势干涉相消,其特征是,磁差电机的主体结构变为相对静止且平行的两份,同步结构共用一份或变成完全一样且相位布局相同、相对静止的两份,平行的两份主体结构称为磁轨,两磁轨间保持距适当距离以防工作电磁场相互干扰;两个磁轨的磁极序列排布完全相同,电枢缠绕取向完全相反,即拓扑对偶;每个磁轨上,磁极和电枢拓扑依然保持连对双排,即同名两个磁极后紧接着排列两个异名磁极,电枢是连续两个缠绕取向相同的后面仅接着是两个缠绕取向相反的;电枢互联方式包括并联和串联,互联的基础单位是单个磁轨上缠绕取向一样的一对相邻电枢;所有电枢对之间的接线顺序须得保证,在同一载流下,缠绕取向相同的电枢产生磁场极性相同,缠绕取向相反的相反。
2.根据权利要求1所述双联磁差电机的电枢对偶拓扑,在相同磁极序列排布下,有两种类型,包括一对缠绕取向完全相反的对偶拓扑,和整体偏移一个相邻电枢或磁极间距的镜像拓扑。
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