[发明专利]像素阵列与其制造方法

说明书

一种像素阵列与其制造方法，像素阵列包含一像素感测器以及一聚二甲基硅氧烷层，聚二甲基硅氧烷层位于该像素感测器上方，其中该聚二甲基硅氧烷层的一表面包含多个结构，每一结构具有小于要由该像素感测器感测的一入射光的一波长的一各别宽度。

技术领域

本揭露实施方式是关于一种像素阵列与其制造方法。

背景技术

互补式金属氧化物半导体(CMOS)影像感测器(CIS)应用已扩展到不仅以成像为目的，且为各种感测应用。互补式金属氧化物半导体影像感测器应用的扩展已产生了互补式金属氧化物半导体影像感测器性能改良，例如改良的感测器灵敏度、框速率、动态范围、及/或类似者。在大多数的这些性能改良中，互补式金属氧化物半导体影像感测器具有远超越人眼的能力，并可侦测到人眼无法侦测的物体。智能手机摄影机的互补式金属氧化物半导体影像感测器可嵌设于相位侦测自动对焦像素，以提供摄影机自动对焦功能。一些互补式金属氧化物半导体影像感测器包含可从场景提取特殊信息的晶片上偏振滤光器与多频带光谱滤光器。

发明内容

本揭露提供一种像素阵列，包含像素感测器以及聚二甲基硅氧烷(PDMS)层。聚二甲基硅氧烷层位于像素感测器上方。聚二甲基硅氧烷层的表面包含多个结构，这些结构均具有小于要由此像素感测器感测的入射光的波长的各别宽度。

本揭露提供一种制造方法，包含沉积聚二甲基硅氧烷层于影像感测器的像素阵列上方与使用阳极氧化铝(AAO)模板来形成多个结构于聚二甲基硅氧烷层中。这些结构包含多个凸形结构或多个凹形结构中的至少一者。

本揭露提供一种像素阵列，包含像素感测器以及聚二甲基硅氧烷抗反射涂层。聚二甲基硅氧烷抗反射涂层位于像素感测器上方且包含具有平坦表面的第一部分以及具有非平坦表面的第二部分，非平坦表面包含多个结构，这些结构均具有小于要由此像素感测器感测的入射光的波长的宽度。

附图说明

下列详细的描述配合附图阅读可使本揭露的各方面获得最佳的理解。需注意的是，依据业界的标准实务，许多特征并未按比例绘示。事实上，可任意增加或减少各特征的尺寸以使讨论清楚。

图1是可实施在此描述的系统及/或方法的例示环境图；

图2A至图2C是在此描述的一或多个例示实施方式图；

图3至图15是在此所描述的像素阵列的例示配置图；

图16是图1的一或多个装置的例示组件图；

图17是有关形成像素阵列的例示制程的流程图。

【符号说明】

100:环境

102:工具

104:工具

106:工具

108:工具

110:工具

112:工具

114:晶圆/晶粒输送工具

200:实施方式

210:参考数字

212:模板

214:模板模具

216:参考数字

218:影像感测器

220:底座

222:聚二甲基硅氧烷层

224:参考数字

226:参考数字

228:结构