[发明专利]像素阵列与其制造方法在审
| 申请号: | 202110203775.9 | 申请日: | 2021-02-23 |
| 公开(公告)号: | CN113851496A | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
| 发明(设计)人: | 林艺民;吴镇吉;鍾震桂 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 阵列 与其 制造 方法 | ||
1.一种像素阵列,其特征在于,该像素阵列包含:
一像素感测器;以及
一聚二甲基硅氧烷层,位于该像素感测器上方,
其中该聚二甲基硅氧烷层的一表面包含多个结构,每一所述结构具有小于要由该像素感测器感测的一入射光的一波长的一各别宽度。
2.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于所述多个结构包含多个凸形结构。
3.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于所述多个结构包含多个凹形结构。
4.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于还包含:
一彩色滤光层,位于该像素感测器上方;以及
一微透镜层,位于该彩色滤光层上方,
其中该聚二甲基硅氧烷层位于该微透镜层下方,且
其中该聚二甲基硅氧烷层位于该彩色滤光层下方。
5.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于还包含:
一彩色滤光层,位于该像素感测器上方;以及
一微透镜层,位于该彩色滤光层上方,
其中该聚二甲基硅氧烷层位于该微透镜层下方,且
其中该聚二甲基硅氧烷层位于该彩色滤光层上方。
6.一种像素阵列的制造方法,其特征在于,该方法包含:
沉积一聚二甲基硅氧烷层于一影像感测器的一像素阵列上方;以及
使用一阳极氧化铝模板形成多个结构于该聚二甲基硅氧烷层中,
其中所述多个结构包含至少一个:
多个凸形结构,或
多个凹形结构。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于沉积该聚二甲基硅氧烷层包含:
沉积处于一液相的该聚二甲基硅氧烷层;且
其中形成所述多个结构包含:
当该聚二甲基硅氧烷层处于该液相时将该阳极氧化铝模板压入该聚二甲基硅氧烷层中。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于形成所述多个结构于该聚二甲基硅氧烷层中包含:
形成所述多个凸形结构于该聚二甲基硅氧烷层的一第一部分中;以及
形成所述多个凹形结构于与该第一部分相邻的该聚二甲基硅氧烷层的一第二部分中;且
其中该方法还包含:
形成一平坦表面于与该第一部分或该第二部分相邻的该聚二甲基硅氧烷层的一第三部分中。
9.一种像素阵列,其特征在于,该像素阵列包含:
一像素感测器;以及
一聚二甲基硅氧烷抗反射涂层,位于该像素感测器上方,包含:
一第一部分,具有一平坦表面;以及
一第二部分,具有一非平坦表面,该非平坦表面包含多个结构,每一所述结构具有小于要由该像素感测器感测的一入射光的一波长的一宽度。
10.根据权利要求9所述的像素阵列,其特征在于还包含:
一第三部分,具有另一非平坦表面,该非平坦表面包含多个另一结构,每一所述另一结构具有小于要由该像素感测器感测的该入射光的该波长的另一宽度,
其中该第一部分的一焦距、该第二部分的一焦距、以及该第三部分的一焦距为不同的焦距。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





