[发明专利]一次性可编程存储器单元以及电子器件

权利要求书

1.一种一次性可编程存储器单元，包括：

反熔丝晶体管，包括：第一栅极；第一掺杂剂区，形成第一源极/漏极区；和第二掺杂剂区，形成第二源极/漏极区；

选择晶体管，与所述反熔丝晶体管串联连接，所述选择晶体管包括：第二栅极；所述第二掺杂剂区，形成第三源极/漏极区；和第三掺杂剂区，形成第四源极/漏极区；以及

附加的第四掺杂剂区，连接至所述第一掺杂剂区，并且部分地在所述反熔丝晶体管的所述第一栅极下面延伸，所述附加的第四掺杂剂区创建用于读取电流的附加电流路径。

2.根据权利要求1所述的一次性可编程存储器单元，还包括：

第一接触件，至所述第一掺杂剂区；以及

第二接触件，至所述第二掺杂剂区；以及

导电元件，连接所述第一接触件和所述第二接触件。

3.根据权利要求2所述的一次性可编程存储器单元，其中，通过第一偏置电压施加至所述第一接触件来激活所述附加电流路径，并且当所述偏置电压施加至所述第二接触件时，激活第二电流路径。

4.根据权利要求1所述的一次性可编程存储器单元，还包括：晕圈区，位于所述第一掺杂剂区和所述第二掺杂剂区之间，并且设置为邻近所述第一掺杂剂区和所述附加的第四掺杂剂区。

5.根据权利要求1所述的一次性可编程存储器单元，还包括：晕圈区，位于所述第二掺杂剂区和所述第三掺杂剂区之间，并且邻近所述第二掺杂剂区。

6.根据权利要求1所述的一次性可编程存储器单元，其中，所述第一掺杂剂区、所述第二掺杂剂区、所述第三掺杂剂区、和所述附加的第四掺杂剂区形成有具有第一导电类型的一种或者多种掺杂剂。

7.根据权利要求1所述的一次性可编程存储器单元，其中，所述一次性可编程存储器单元包括在存储器阵列中的多个一次性可编程存储器单元中。

8.一种一次性可编程存储器单元，包括：

反熔丝晶体管；

第一选择晶体管，可操作地连接至所述反熔丝晶体管；以及

第二选择晶体管，可操作地连接至所述第一选择晶体管，其中：

第一字线读取信号线连接至所述第一选择晶体管的第一栅极；并且

第二字线读取信号线连接至所述第二选择晶体管的第二栅极和至所述第一字线读取信号线，使得所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管形成级联选择晶体管。

9.根据权利要求8所述的一次性可编程存储器单元，其中，所述级联选择晶体管与所述反熔丝晶体管串联连接。

10.一种电子器件，包括：

处理器件；

存储器阵列，可操作地连接至所述处理器件，所述存储器阵列包括：

一次性可编程存储器单元，包括：

反熔丝晶体管，包括：第一栅极；第一掺杂剂区，形成第一源极/漏极区；和第二掺杂剂区，形成第二源极/漏极区；

选择晶体管，与所述反熔丝晶体管串联连接，所述选择晶体管包括：第二栅极；所述第二掺杂剂区，形成第三源极/漏极区；和第三掺杂剂区，形成第四源极/漏极区；

附加的第四掺杂剂区，连接至所述第一掺杂剂区，并且部分地在所述反熔丝晶体管的所述第一栅极下面延伸；

第一接触件，连接至所述第一掺杂剂区；以及

第二接触件，连接至所述第二掺杂剂区，其中，所述处理器件可操作，以使偏置电压施加至所述第一接触件，以激活由所述附加的第四掺杂剂区创建的用于读取电流的附加电流路径，并且施加至第二接触件，以激活用于所述读取电流的第二电流路径。