[发明专利]等离子体处理装置和构件温度判定方法

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置和构件温度判定方法，高精度地判定处理容器内的构件的温度是否饱和。等离子体处理装置具有处理容器和电极，该等离子体处理装置还具有：预处理部，其构成为执行使等离子体点火来使处理容器内的构件的温度上升的预处理；功率施加部，其构成为在执行预处理后，以不使等离子体点火的方式向电极施加RF功率；测定部，其构成为测定与通过功率施加部施加的RF功率有关的物理量；以及判定部，其构成为基于通过测定部测定出的与RF功率有关的物理量，来判定处理容器内的构件的温度是否饱和。

技术领域

本发明涉及一种等离子体处理装置和构件温度判定方法。

背景技术

以往以来，已知一种使用等离子体来对晶圆等被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置。这样的等离子体处理装置例如具有在能够构成真空空间的处理容器内保持兼用作电极的被处理体的载置台。等离子体处理装置通过向载置台施加规定的高频功率(RF(Radio Frequency：射频)功率)，来对配置于载置台的被处理体进行等离子体处理。另外，等离子体处理装置在对被处理体进行等离子体处理前，进行使等离子体点火来使处理容器内的构件的温度上升的预处理。该预处理也被称为干燥处理。通过在晶圆假片被载置于载置台的状态下使等离子体点火来实现干燥处理。将干燥处理例如重复执行预先决定的次数，直到处理容器内的构件的温度饱和为止。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-167385号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够高精度地判定处理容器内的构件的温度是否饱和的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式的等离子体处理装置具有处理容器和电极，所述等离子体处理装置还具有：预处理部，其构成为执行使等离子体点火来使所述处理容器内的构件的温度上升的预处理；功率施加部，其构成为在执行所述预处理后以不使等离子体点火的方式向所述电极施加RF功率；测定部，其构成为测定与通过所述功率施加部施加的所述RF功率有关的物理量；以及判定部，其构成为基于通过所述测定部测定出的与所述RF功率有关的物理量来判定所述处理容器内的构件的温度是否饱和。

发明的效果

根据本公开，起到能够高精度地判定处理容器内的构件的温度是否饱和这样的效果。

附图说明

图1是示出一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的结构的概要截面图。

图2是示出对一个实施方式所涉及的等离子体处理装置进行控制的控制部的概要结构的框图。

图3是示意性地示出处理容器内的构件的图。

图4是通过等效电路示出向载置台施加了RF功率时的等离子体处理装置的电气状态的一例的图。

图5是示出处理容器内的构件的温度与干燥处理的重复次数之间的关系的一例的图。

图6是示出一个实施方式所涉及的等离子体处理方法的流程的一例的流程图。

图7是说明在处理容器内的构件的温度饱和后开始等离子体处理的流程的具体例的图。

附图标记说明