[发明专利]等离子体处理装置和构件温度判定方法在审

专利信息
申请号: 202110172174.6 申请日: 2021-02-08
公开(公告)号: CN113299530A 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 河村浩司 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 构件 温度 判定 方法
【权利要求书】:

1.一种等离子体处理装置,具有处理容器和电极,所述等离子体处理装置还具有:

预处理部,其构成为执行使等离子体点火来使所述处理容器内的构件的温度上升的预处理;

功率施加部,其构成为在执行所述预处理后以不使等离子体点火的方式向所述电极施加射频功率;

测定部,其构成为测定与通过所述功率施加部施加的所述射频功率有关的物理量;以及

判定部,其构成为基于通过所述测定部测定出的与所述射频功率有关的物理量来判定所述处理容器内的构件的温度是否饱和。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,

还具有获取部,该获取部构成为获取判定基准信息,该判定基准信息表示预先在所述处理容器内的构件的温度饱和的状态下测定出的与所述射频功率有关的物理量,

所述判定部构成为:将通过所述测定部测定出的与所述射频功率有关的物理量同通过所述获取部获取到的判定基准信息所表示的与所述射频功率有关的物理量进行比较,由此判定所述处理容器内的构件的温度是否饱和。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于,

所述预处理部构成为将所述预处理重复执行多次,

所述功率施加部构成为:每当完成一次所述预处理时,以不使等离子体点火的方式向所述电极施加射频功率,

所述测定部构成为:每当完成一次所述预处理时,测定与所述射频功率有关的物理量,

所述判定部构成为:在判定为所述处理容器内的构件的温度未饱和的情况下,使所述预处理部继续重复所述预处理,在判定为所述处理容器内的构件的温度饱和的情况下,使所述预处理部停止重复所述预处理。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置,其特征在于,

还具有等离子体处理部,该等离子体处理部构成为:在停止重复所述预处理后,对搬入到所述处理容器内的被处理体实施等离子体处理,

所述功率施加部构成为:在实施所述等离子体处理后,再次以不使等离子体点火的方式向所述电极施加射频功率,

所述测定部构成为:在实施所述等离子体处理后,测定与通过所述功率施加部施加的所述射频功率有关的物理量,

所述判定部构成为:基于在实施所述等离子体处理后通过所述测定部测定出的与所述射频功率有关的物理量,来判定所述处理容器内的构件的温度是否维持着饱和。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置,其特征在于,

所述判定部构成为:在判定为所述处理容器内的构件的温度未维持饱和的情况下,通知警报。

6.根据权利要求1~5中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于,

与所述射频功率有关的物理量为以下物理量中的至少任一个物理量:射频电压、射频电流、射频功率与射频电流的相位差、阻抗、从尚未执行所述预处理的初始状态起的射频电压的变化量、从尚未执行所述预处理的初始状态起的射频电流的变化量、从尚未执行所述预处理的初始状态起的射频功率与射频电流的相位差的变化量、以及从尚未执行所述预处理的初始状态起的阻抗的变化量。

7.一种构件温度判定方法,用于在具有处理容器和电极的等离子体处理装置中执行以下步骤:

执行使等离子体点火来使所述处理容器内的构件的温度上升的预处理;

在执行所述预处理后,以不使等离子体点火的方式向所述电极施加射频功率;

测定与施加的所述射频功率有关的物理量;以及

基于测定出的与所述射频功率有关的物理量,来判定所述处理容器内的构件的温度是否饱和。

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