[发明专利]一种MWDM滤光片薄膜制作方法

权利要求书

1.一种MWDM滤光片薄膜制作方法，其特征在于,包括下列步骤：

材质选择和清洗：选择K9材质的玻璃基板通过全自动化超声波清洗线进行超声波清洗，通过80KHZ的高频超声波将所述玻璃基板上的麻点进行清理，同时通过除油清洗剂WIN18的上下抛动洗涤将指纹油脂清洗干净；

装载：将清洗洁净的所述玻璃基板存放至铝制大圆片夹具上，待镀膜机台准备完毕后，将所述铝制大圆片夹具和所述玻璃基板逐一装载进所述镀膜机台的腔体内；

镀膜：对所述镀膜机台的腔体进行抽高真空及恒温加热的预处理，在所述玻璃基板上加上100～300V的负偏压，通过平面磁控溅射沉积技术对所述玻璃基板进行镀膜，在溅射过程中，靶为平面阴极，平行在所述平面阴极上面的磁场将自由电子限制在阴极靶材表面，离子源将氩气电离为氩离子，进而轰击所述靶材表面，溅射出来的材料再与氧气结合形成氧化物，生成的所述氧化物再快速沉积在所述玻璃基板上形成光学薄膜，所述光学薄膜的膜系为TA2O5材料及SIO2材料相交替叠加，同时利用计算机进行光量值控制，并将完成所述镀膜的玻璃基板进行预设时长的自然冷却，等所述玻璃基板达到预设温度后再从所述镀膜机台中取出卸载；

研磨抛光及切割：对完成所述镀膜的玻璃基板的非镀膜面进行高精度研磨抛光，并将所述玻璃基板的尺寸加工为40X40X1.0(mm)，外观要求为40/20再进行小颗粒切割，最终加工后的尺寸为1.2X1.2X1.0(mm)。

2.根据权利要求1所述的MWDM滤光片薄膜制作方法，其特征在于，所述“镀膜”的方法进一步包括：

镀制多极值腔层：选择所述SIO2材料作为主膜料，靶材功率范围为8500-9000W，氧气流量为50ccm，氩气流量为23ccm，成膜速率稳定在3.15A/S，所述SIO2材料成膜过程中的产生的离子源的功率为1350W；

镀制TA2O5膜层：选择所述TA2O5材料，靶材功率范围为7500-8000W，氧气流量为55ccm，氩气流量为20ccm，成膜速率稳定在2.35A/S，所述TA2O5材料成膜过程中产生的离子源的功率为1250W。

3.根据权利要求2所述的MWDM滤光片薄膜制作方法，其特征在于，所述“镀制TA2O5膜层”的方法进一步包括：

镀制所述TA2O5膜层前，将所述镀膜机台的腔体真空度稳定在5.0E-6mbar高真空条件下，将所述玻璃基板温度稳定在220℃，同时将光控系统的光量干扰噪声稳定在0.01dB。

4.根据权利要求2所述的MWDM滤光片薄膜制作方法，其特征在于，所述“镀膜”的方法进一步包括：

在交替镀制所述多极值腔层和所述TA2O5膜层时，所述多极值腔层与所述TA2O5膜层之间的间隔空隙时间需控制在10S内完成。

5.根据权利要求1所述的MWDM滤光片薄膜制作方法，其特征在于，所述“TA2O5材料及SIO2材料相交替叠加”的方法进一步包括：

所述TA2O5材料和所述SIO2材料最终累积起厚度为31.4um，中心波长的峰值插损为0.1dB,通带带宽为5.5nm,截止带宽为8.2nm,通带波纹系数近似为0。

6.根据权利要求1所述的MWDM滤光片薄膜制作方法，其特征在于，所述“研磨抛光及切割”的方法进一步包括：

所述玻璃基板的尺寸公差在±0.05之间，厚度公差在±0.02之间，角度公差在±0.5°之间。