[发明专利]发光二极管组件及制造其发光二极管单元的方法

说明书

一种发光二极管组件，包括多个发光二极管单元及驱动电路。每个所述发光二极管单元包括发光二极管及晶体管。所述发光二极管包括具有III‑V族化合物半导体的第一发光二极管层、在所述第一发光二极管层上方的第二发光二极管层、及在所述第二发光二极管层上方的发光二极管电极。所述第一发光二极管层不具有发光二极管电极。所述晶体管包括汲区，所述汲区连接所述第一发光二极管层。所述驱动电路配置来驱动所述发光二极管单元。

技术领域

本申请要求于2020年03月27日提交的美国专利申请号16/831840的优先权，其通过引用并入本文，并且成为说明书的一部分。

本公开涉及发光二极管，尤其涉及具备晶体管及发光二极管的发光二极管组件。

背景技术

一种发光二极管(light-emitting diode，LED)组件，包括多个发光二极管单元和驱动电路。每个发光二极管单元包括发光二极管和晶体管。该发光二极管包括p型半导体层，连接到该p型半导体层的p型发光二极管电极(或阳极端子)，n型半导体层和连接到n型半导体层的n型发光二极管电极(或阴极端子)。驱动电路被配置为驱动发光二极管单元，例如以控制发光二极管的开-关状态和亮度。但是，随着集成化和小型化的发展，传统的LED组件的结构不利于其小型化的发展需求，因此需要一种新的LED组件结构。

发明内容

本公开的一个方面提供了一种发光二极管组件，包括多个发光二极管单元及驱动电路。每个所述发光二极管单元包括发光二极管及晶体管。所述发光二极管包括具有III-V族化合物半导体的第一发光二极管层、在所述第一发光二极管层上方的第二发光二极管层、及在所述第二发光二极管层上方的发光二极管电极。所述第一发光二极管层不具有发光二极管电极。所述晶体管包括汲区，所述汲区连接所述第一发光二极管层。所述驱动电路配置来驱动所述多个发光二极管单元。

本公开的一个方面提供了一种发光二极管组件，包括多个发光二极管单元及驱动电路。每个所述发光二极管单元包括发光二极管及晶体管。所述发光二极管包括发光二极管层，所述发光二极管层包括III-V族化合物半导体并具有第一侧壁及相对于所述第一侧壁的第二侧壁。所述晶体管包括汲区，所述汲区连接所述发光二极管层的所述第一侧壁，其中所述发光二极管层的所述第二侧壁不具有所述汲区。所述驱动电路配置来驱动所述多个发光二极管单元。

本公开的一个方面提供了一种制造发光二极管单元的方法，包括：在基材上方形成所述发光二极管单元的发光二极管；和在形成所述发光二极管之后，在所述基材上方形成所述发光二极管单元的晶体管。其中形成所述发光二极管包括在所述基材上生长III-V族化合物半导体。所述晶体管包括连接到所述发光二极管的汲区。

通过以上方案可以使得产品结构更紧凑，更有利于小型化的发展需求。另外，此结构也有利于简化制造工艺。

附图说明

为可仔细理解本案以上记载之特征，参照实施态样可提供简述如上之本案的更特定描述，一些实施态样系说明于随附图式中。然而，要注意的是，随附图式仅说明本案的典型实施态样并且因此不被视为限制本案的范围，因为本案可承认其他等效实施态样。

图1是示出根据本公开的一些实施例的示例性发光二极管组件的示意图；

图2是示出根据本公开的一些实施例的制造发光二极管组件的发光二极管单元的示例性方法的流程图；和

图3-28是示出根据本公开的一些实施例的发光二极管单元的制造中的各个阶段的示意性截面图。

然而，应当注意，附图仅示出了本公开的示例性实施例，并且因此不应被认为是对其范围的限制，因为本公开可以允许其他等效的实施例。