[发明专利]发光二极管组件及制造其发光二极管单元的方法

权利要求书

1.一种发光二极管组件，包括：

一基材，该基材形成有一具有深度的孔，所述孔形成有凹槽，所述凹槽内形成有缓冲层；

多个发光二极管单元，每个所述发光二极管单元包括：

发光二极管，包括

第一发光二极管层，包括III-V族化合物半导体，所述第一发光二极管层由所述凹槽内的所述缓冲层开始生长；

第二发光二极管层，在所述第一发光二极管层上方，发光二极管电极，在所述第二发光二极管层上方，其中所述第一发光二极管层不具有发光二极管电极，及

晶体管，包括汲区，所述汲区连接所述第一发光二极管层；及

驱动电路，配置来驱动所述多个发光二极管单元。

2.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，所述第二发光二极管层覆盖所述第一发光二极管层的顶表面上的相对的多个端部。

3.如权利要求2所述的发光二极管组件，其特征在于，所述第二发光二极管层还覆盖所述第一发光二极管层的顶表面上的所述相对的多个端部之间的所述第一发光二极管层的顶表面上的中间部分。

4.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，还包括在所述第一和第二发光二极管层之间并且覆盖所述第一发光二极管层的顶表面上的相对的多个端部的发光层。

5.如权利要求4所述的发光二极管组件，其特征在于，所述发光层还覆盖所述第一发光二极管层的顶表面上的相对的多个端部之间的所述第一发光二极管层的顶表面上的中间部分。

6.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，还包括透明导电层，在所述第二发光二极管层和所述发光二极管电极之间，并覆盖所述第一发光二极管层的顶表面上的相对的多个端部。

7.如权利要求6所述的发光二极管组件，其特征在于，所述透明导电层还覆盖所述第一发光二极管层的顶表面上的相对的多个端部之间的所述第一发光二极管层的顶表面上的中间部分。

8.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，所述汲区不具有汲电极；所述汲区直接接触所述第一发光二极管层。

9.一种发光二极管组件，包括

一基材，该基材形成有一具有深度的孔，所述孔形成有凹槽；

多个发光二极管单元，每个所述发光二极管单元包括：

发光二极管，包括发光二极管层，所述发光二极管层包含III-V族化合物半导体并具有第一侧壁及相对于所述第一侧壁的第二侧壁，所述第一侧壁及所述第二侧壁形成于所述孔内的所述凹槽及

晶体管，包括汲区，所述汲区直接连接所述发光二极管层的所述第一侧壁，其中所述发光二极管层的所述第二侧壁不具有所述汲区；及

驱动电路，配置来驱动所述多个发光二极管单元。

10.如权利要求9所述的发光二极管组件，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述晶体管的整个所述汲区。

11.如权利要求9所述的发光二极管组件，其特征在于，还包括

所述晶体管的源区；

钝化层，在所述源区的顶表面上方；和

源电极，位于所述源区的顶表面上方，其中所述钝化层和所述源电极覆盖所述源区的整个顶表面上。

12.如权利要求9所述的发光二极管组件，其特征在于，

钝化层，在所述发光二极管的顶表面上方；和

发光二极管电极，在所述发光二极管的顶表面上方，其中所述钝化层和所述发光二极管电极覆盖所述发光二极管的整个顶表面上。