[发明专利]基于人工期望的目标图案掩膜优化方法

权利要求书

1.一种基于人工期望的目标图案掩膜优化方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、将目标图案转化为像素化图案并对其进行高频区域与高频点的提取，进一步构造基于人工期望的期望目标图案；

步骤S2、将期望目标图案的数值作为晶圆电路板图像素化数值以构建代价函数和约束条件；

步骤S3、根据所述约束条件对所述期望目标图案的掩膜数值进行更新。

2.根据权利要求1所述的基于人工期望的目标图案掩膜优化方法，其特征在于：

所述步骤S1包括：

步骤S11、将目标图案的掩膜图形进行像素化处理获得预处理前的掩膜版图矩阵，并通过高斯卷积得到图案边缘以获取高频信号；

步骤S12、通过对图案边缘求解偏微分获得图案的拐角以获取高频点；

步骤S13、根据获取得到的所述高频信号和所述高频点并基于预设规则生成辅助图案；

步骤S14、将生成的所述辅助图案叠加到目标电路板图上从而得到人工期望的期望目标图案；

步骤S15、对人工期望的所述期望目标图案进行顺滑处理。

3.根据权利要求1所述的基于人工期望的目标图案掩膜优化方法，其特征在于：

所述步骤S2包括：

根据实际投影光刻系统成像性能和反向补偿过程中的图案误差和边缘放置误差评价和计算，并基于图案形态学生成人工期望版图，构建代价函数和约束条件，即：

s.t.M(θ)＝(1+cosθ)/2

其中，I_ar是人工期望版图；Ψ{·}表示DUV成像的映射关系，用于计算晶圆图案I_wafer；代价函数为且其被定义为图案误差(PE)；约束条件为M(θ)＝(1+cosθ)/2。

4.根据权利要求1所述的基于人工期望的目标图案掩膜优化方法，其特征在于：

所述步骤S3包括：

步骤S31、初始化光源J和掩膜M为数值矩阵，并设定迭代次数；

步骤S32、构造深紫外光刻投影矩阵；

步骤S33、根据人工期望的期望目标图案构造MO框架；

步骤S34、对所述代价函数进行求导，以获得对应梯度；

步骤S35、根据最速梯度下降法对掩膜数值进行更新。

5.根据权利要求2所述的基于人工期望的目标图案掩膜优化方法，其特征在于：

在所述步骤S13中，在电路板图的高频信号处添加额外的辅助区域以降低目标版图高频信号。

6.根据权利要求5所述的基于人工期望的目标图案掩膜优化方法，其特征在于：

所述辅助区域的结构为从中心向两侧数值逐渐减小的圆形区域。