[发明专利]光捕获图像传感器在审
| 申请号: | 202110096758.X | 申请日: | 2021-01-25 |
| 公开(公告)号: | CN113206114A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
| 发明(设计)人: | 阿里雷萨·博纳达;林志强;林赛·格兰特 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张润 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 捕获 图像传感器 | ||
1.一种光捕获图像传感器,包括:
像素阵列,形成在半导体衬底中和半导体衬底上,并且包括光敏像素,每个光敏像素包括反射材料,所述反射材料在半导体材料的一部分周围形成腔,以至少部分地捕获进入腔的光,腔在半导体衬底的光接收表面处具有顶板,并且所述顶板形成用于将光接收到腔中的孔;以及
透镜阵列,布置在像素阵列上,透镜阵列的每个透镜与相应腔的孔对准,以将光通过孔聚焦到腔中。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述图像传感器是背面照射的互补金属氧化物半导体图像传感器,所述半导体材料是硅。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,每个透镜是微球。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,每个微球直接设置在相应的一个光敏像素上。
5.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述像素阵列是矩形阵列,所述光敏像素具有沿着所述像素阵列的行和列的像素间距,每个微球的直径等于所述像素间距。
6.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述图像传感器是彩色图像传感器,还包括设置在所述透镜阵列上方的滤色器阵列,以在光被所述微球聚焦之前对光进行光谱滤波,所述滤色器阵列是相同滤色器组的阵列,每个滤色器组包括用于透射相应的多个光谱范围内的光的多个滤色器。
7.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述图像传感器为彩色图像传感器,每个微球由滤色材料形成,以在聚焦光的同时对光进行光谱滤波,所述透镜阵列为相同微球组的阵列,每个微球组包括用于选择性地透射相应的多个光谱范围内的光的多个微球。
8.根据权利要求7所述的图像传感器,其中,所述半导体材料是硅,所述光谱范围中的一个包括近红外波长。
9.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,每个透镜是具有凸表面的平凸微透镜,凸表面用于将光接收到所述平凸微透镜中。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述透镜阵列具有小于100%的填充因子,使得每个平凸微透镜与其相邻的平凸微透镜中的每一个相隔非零的距离。
11.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,每个平凸微透镜的焦点在相应腔的孔处。
12.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述图像传感器是彩色图像传感器,还包括设置在所述像素阵列和所述透镜阵列之间的滤色器阵列,所述滤色器阵列是相同滤色器组的阵列,每个滤色器组包括用于透射相应的多个光谱范围中的光的多个滤色器。
13.根据权利要求12所述的图像传感器,其中,所述半导体材料是硅,所述光谱范围中的一个包括近红外波长。
14.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述顶板包括金属。
15.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,每个腔还具有底板以及在所述底板和所述顶板之间延伸的侧壁,其中,对于每个腔,所述底板包括相应的金属触点,用于将光生电荷传导出所述腔。
16.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,每个腔还具有底板以及在所述底板和所述顶板之间延伸的侧壁,其中,对于每个腔,所述侧壁包括深沟槽隔离。
17.根据权利要求16所述的图像传感器,其中,所述深沟槽隔离包括:
金属;以及
作为所述金属衬里的氧化物层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于豪威科技股份有限公司,未经豪威科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110096758.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





