[发明专利]平面化中的芯片内不均匀性（WID-NU）

权利要求书

1.一种屏障化学机械平面化(CMP)抛光组合物，其包含：

磨料，其选自二氧化硅、氧化铝、二氧化铈、氧化锗、二氧化钛、氧化锆、胶体二氧化硅、氧化铝掺杂的胶体二氧化硅及其混合物；

平面化剂；

腐蚀抑制剂；

水溶性溶剂；

任选地

润湿剂；

速率增强剂；

pH调节剂；

氧化剂；以及

螯合剂；

其中

所述平面化剂选自环氧乙烷、其聚合物、其衍生物；环氧丙烷、其聚合物、其衍生物；环氧丁烷、其聚合物、其衍生物；及其组合；

所述抛光组合物具有2至12、3至12、7至12或8至12的pH。

2.如权利要求1所述的屏障化学机械平面化抛光组合物，其中所述磨料为胶体二氧化硅且所述胶体二氧化硅具有10nm至300nm，优选20nm至200nm，并且更优选30nm至100nm的平均粒度。

3.如权利要求1所述的屏障化学机械平面化抛光组合物，其中所述平面化剂选自乙醇，2-[(1-十二烷基环己基)氧基]-；环状寡糖；聚(氧基-1,2-乙烷二基)、α-(1-壬基癸基)-ω-羟基-；聚(氧基-1,2-乙烷二基)、α-(1-癸基环己基)-ω-羟基-；乙醇，2-(环十三烷氧基)-；聚环氧乙烷，所述聚环氧乙烷具有10道尔顿至5百万道尔顿，或50道尔顿至1百万道尔顿范围内的分子量；聚环氧丙烷，所述聚环氧丙烷具有10道尔顿至5百万道尔顿，或50道尔顿至1百万道尔顿范围内的分子量；及其组合。

4.如权利要求1所述的屏障化学机械平面化抛光组合物，其中所述平面化剂是具有10道尔顿至5百万道尔顿，或50道尔顿至1百万道尔顿范围内的分子量的聚合物。

5.如权利要求1所述的屏障化学机械平面化抛光组合物，其中所述腐蚀抑制剂选自苯并三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、3,5-二胺-1,2,4-三唑及其组合；并且所述腐蚀抑制剂以约0.0001重量％至约2.0重量％；约0.0005重量％至约1.0重量％，或约0.001重量％至约0.5重量％的量存在。

6.如权利要求1所述的屏障化学机械平面化抛光组合物，其中所述水溶性溶剂选自去离子水、极性溶剂以及去离子水与极性溶剂的混合物；其中所述极性溶剂选自醇、醚和酮。

7.如权利要求1所述的屏障化学机械平面化抛光组合物，其中所述润湿剂选自非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、两性表面活性剂及其组合。

8.如权利要求1所述的屏障化学机械平面化抛光组合物，其中所述润湿剂选自炔属二醇表面活性剂、醇乙氧基化物表面活性剂及其组合；并且所述表面活性剂以0.0001重量％至10.0重量％；0.001重量％至5.0重量％；0.005重量％至2.0重量％，或0.001重量％至1.0重量％的量存在。

9.如权利要求1所述的屏障化学机械平面化抛光组合物，其中所述速率增强剂选自硅酸钾、硅酸钠、硅酸铵、硅酸四甲铵、硅酸四丁铵、硅酸四乙铵及其组合；并且所述速率增强剂以约0.001重量％至约20.0重量％；0.01重量％至约15.0重量％，或0.1重量％至约10.0重量％范围内的量使用。

10.如权利要求1所述的屏障化学机械平面化抛光组合物，其中所述pH调节剂选自：a)硝酸、硫酸、酒石酸、琥珀酸、柠檬酸、苹果酸、丙二酸、各种脂肪酸、各种多元羧酸及其组合，以降低所述抛光组合物的pH；和(b)氢氧化钾、氢氧化钠、氨、氢氧化四乙铵、乙二胺、哌嗪、聚乙烯亚胺、改性聚乙烯亚胺及其组合，以提高所述抛光组合物的pH；并且所述pH调节剂以约0.0001重量％至约5.0重量％；0.001重量％至约3.0重量％；0.01重量％至约2.0重量％范围内的量使用。