[发明专利]测量测试样本的电性质的方法

权利要求书

1.一种用于测量多层测试样本的电性质的方法，所述方法包括：

提供所述多层测试样本，其具有包含至少第一层及第二层的堆叠，所述堆叠位于电绝缘层上方，

提供位于所述电绝缘层上方的第一测试样本端子，其用于与测量电路的第一连接，

提供位于所述电绝缘层上方的第二测试样本端子，其用于与所述测量电路的第二连接，

所述第一测试样本端子、所述第二测试样本端子及所述堆叠彼此电绝缘，

提供嵌入所述电绝缘层中的第一导电路径，所述第一导电路径使所述第一测试样本端子及所述堆叠电互连，及

提供嵌入所述电绝缘层中的第二导电路径，所述第二导电路径使所述第二测试样本端子及所述堆叠电互连，

所述方法进一步包括：

提供所述测量电路，其包含第一测量端子及第二测量端子，

使所述第一测量端子与所述第一测试样本端子接触，

使所述第二测量端子与所述第二测试样本端子接触，及

通过所述测量电路测量所述堆叠的所述电性质。

2.根据权利要求1所述的方法，所述多层测试样本是用于磁阻随机存取存储器的半导体晶片。

3.根据权利要求1所述的方法，所述堆叠组成磁隧道结。

4.根据权利要求1所述的方法，所述第一层为铁磁片。

5.根据权利要求1所述的方法，所述第二层为铁磁片。

6.根据权利要求1所述的方法，所述堆叠包含夹置在所述第一层与所述第二层之间的中间层。

7.根据权利要求6所述的方法，所述中间层是用于使电子在所述第一层与所述第二层之间隧穿的电绝缘体。

8.根据权利要求1所述的方法，所述第一测试样本端子具有至少三个层。

9.根据权利要求8所述的方法，所述第二测试样本端子具有至少三个层。

10.根据权利要求1所述的方法，所述第一导电路径在所述电绝缘层中平面地延伸。

11.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述第一测试样本端子与所述第一导电路径之间提供第一通孔。

12.根据权利要求11所述的方法，其包括在所述堆叠与所述第一导电路径之间提供第二通孔。

13.根据权利要求1所述的方法，其包括提供测试探针，所述测试探针包含所述第一测量端子的第一探针尖端及所述第二测量端子的第二探针尖端，

使所述第一探针尖端与所述第一测试样本端子接触，及

使所述第二探针尖端与所述第二测试样本端子接触。

14.一种多层测试样本，其用于嵌入式测量所述多层测试样本的电性质，所述多层测试样本包括：

堆叠，其包含至少第一层及第二层，所述堆叠位于电绝缘层上方，

第一测试样本端子，其位于所述电绝缘层上方以用于与测量电路的第一连接，

第二测试样本端子，其位于所述电绝缘层上方以用于与所述测量电路的第二连接，

所述第一测试样本端子、所述第二测试样本端子及所述堆叠彼此电绝缘，

所述多层测试样本进一步包括：

第一导电路径，其嵌入所述电绝缘层中，所述第一导电路径使所述第一测试样本端子及所述堆叠电互连，及

第二导电路径，其嵌入所述电绝缘层中，所述第二导电路径使所述第二测试样本端子及所述堆叠电互连，使得所述第一导电路径及所述第二导电路径与所述堆叠一起形成所述第一测试样本端子与所述第二测试样本端子之间的电路以测量所述电性质。