[发明专利]具有温度不均匀性控制的热处理系统

说明书

本公开提供了一种热处理系统。所述热处理系统可以包括处理室和设置在所述处理室之内的工件。所述热处理系统可以包括配置为向所述工件发射光的热源。所述热处理系统还可以包括设置在所述工件和所述热源之间的可调谐反射阵列。所述可调谐反射阵列可以包括多个像素。所述多个像素的每个像素可以包括可配置为半透明状态或不透明状态的电致变色材料。当像素的所述电致变色材料被配置为半透明状态时，光至少部分地通过所述像素。相反，当所述像素的所述电致变色材料被配置为所述不透明状态时，减少光通过所述像素的透射。

优先权要求

本申请基于申请日为2019年3月14日、名称为“具有温度不均匀性控制的热处理系统”的美国临时申请第62/818,194号，并且要求该申请的优先权，该美国临时申请通过援引并入本文中。本申请还基于申请日为2019年5月1日、名称为“具有温度不均匀性控制的热处理系统”的美国临时申请第62/841,340号，并且要求该申请的优先权，该美国临时申请通过援引并入本文中。

技术领域

本公开总体涉及热处理系统。

背景技术

热处理系统可以限定处理室，该处理室配置为容纳工件，例如半导体晶片。热处理系统还可以包括配置为加热工件的热源(例如，加热灯)。然而，与工件相关的温度分布的不均匀性会随着热源加热工件而发展，从而导致工件异常。

发明内容

本公开的实施例的方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，或者可以从描述中了解，或者可以通过实施例的实践来了解。

一方面，提供了一种热处理系统。所述热处理系统可以包括处理室和设置在所述处理室之内的工件。此外，所述热处理系统还可以包括配置为向所述工件发射光的热源。此外，所述热处理系统可以包括设置在所述工件和所述热源之间的可调谐反射阵列。所述可调谐反射阵列可以包括多个像素。所述多个像素的每个像素可以包括可配置为半透明状态或不透明状态的电致变色材料。当像素的所述电致变色材料被配置为半透明状态时，光至少部分地通过所述像素。相反，当所述像素的所述电致变色材料被配置为所述不透明状态时，减少光通过所述像素的透射。

另一方面，提供了一种用于控制热处理系统的操作的方法，所述热处理系统具有热源和位于所述热源与设置在所述热处理系统的处理室内的工件之间的可调谐反射阵列。所述方法包括通过所述热处理系统的控制器获得指示与所述工件相关的温度分布的数据。所述方法还包括通过所述控制器至少部分地基于指示所述温度分布的所述数据来控制所述反射阵列的操作，以减少温度分布上的不均匀性。

参考以下描述和所附权利要求，将更好地理解各实施例的这些和其他特征、方面和优点。并入且构成本说明书一部分的附图说明了本公开的实施例，并且与说明书一起用于解释相关原理。

附图说明

在参考附图的说明书中阐述了对于本领域普通技术人员的实施例的详细讨论，在附图中：

图1描绘了根据本公开的示例性实施例的热处理系统；

图2描绘了根据本公开的示例性实施例的热处理系统的可调谐反射阵列；

图3描绘了根据本公开的示例性实施例的配置为半透明状态的可调谐反射阵列的多个像素；

图4描绘了根据本公开的示例性实施例的配置为不透明状态的可调谐反射阵列的第一多个像素和配置为半透明状态的可调谐反射阵列的第二多个像素；

图5描绘了根据本公开的示例性实施例的热处理系统的可调谐反射阵列；

图6描绘了根据本公开的示例性实施例的闭环控制系统；

图7描绘了根据本公开的示例性实施例的用于控制热处理系统的操作的方法的流程图；以及

图8描绘了根据本公开的示例性实施例的控制器的部件的框图。

具体实施方式