[实用新型]MOSFET晶体管

权利要求书

1.一种MOSFET晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底的一侧；

漂移区，所述漂移区位于所述缓冲层远离所述衬底的一侧；

掺杂基区，所述掺杂基区位于所述漂移区远离所述缓冲层的一侧；

帽层，所述帽层位于所述掺杂基区远离所述漂移区的一侧；

多个沟槽，所述多个沟槽自所述帽层一侧向所述衬底一侧延伸，并延伸至所述漂移区内；

多个重掺杂区，所述重掺杂区至少位于所述漂移区内且位于所述沟槽的底部，

第一金属层，所述第一金属层覆盖所述沟槽的部分台面、部分底部以及和所述部分底部相连的侧壁；

栅介质层以及栅极，所述栅介质层以及栅极位于所述沟槽内且所述栅极和所述第一金属层之间间隔有隔离介质，

第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述衬底远离所述缓冲层的一侧，所述第二电极填充于所述沟槽内并与所述第一金属层接触，

所述MOSFET晶体管中具有第一原胞区和第二原胞区，位于所述第二原胞区中的所述重掺杂区中的一部分进一步延伸至具有所述第一金属层一侧的沟槽侧壁处。

2.根据权利要求1所述的MOSFET晶体管，其特征在于，所述第二原胞区中的所述第一金属层与所述沟槽侧壁处和沟槽底部的所述重掺杂区之间形成欧姆接触，与所述部分台面上的帽层之间形成欧姆接触；

所述第一原胞区中的所述第一金属层和所述漂移区之间形成肖特基接触，与所述部分台面上的帽层之间形成欧姆接触。

3.根据权利要求1所述的MOSFET晶体管，其特征在于，所述衬底、所述缓冲层、所述漂移区和所述帽层具有第一掺杂类型，所述掺杂基区和所述重掺杂区具有第二掺杂类型。

4.根据权利要求3所述的MOSFET晶体管，其特征在于，所述衬底以及所述帽层为重掺杂，所述漂移区为轻掺杂。

5.根据权利要求1所述的MOSFET晶体管，其特征在于，所述重掺杂区在所述衬底上的正投影和所述沟槽的栅极侧壁在所述衬底上的正投影之间的距离D满足：

0≤D≤Th，

所述Th为所述栅极和所述隔离介质宽度之和。

6.根据权利要求1所述的MOSFET晶体管，其特征在于，所述掺杂基区的厚度不小于0.2微米。

7.根据权利要求1所述的MOSFET晶体管，其特征在于，所述沟槽的深度大于所述掺杂基区的厚度。

8.根据权利要求1所述的MOSFET晶体管，其特征在于，所述沟槽延伸至所述漂移区中的部分的深度不小于0.2微米。

9.根据权利要求1所述的MOSFET晶体管，其特征在于，进一步包括：

轻掺杂导电层，所述轻掺杂导电层位于所述漂移区内且位于相邻的两个所述重掺杂区之间，所述轻掺杂导电层的掺杂类型与所述漂移区的掺杂类型相同，且掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度。