[实用新型]用于等离子体处理系统的边缘环和包括该边缘环的系统

权利要求书

1.一种用于等离子体处理系统的边缘环，所述边缘环包括：

环形体；

从所述环形体向下延伸的径向内支腿；

从所述环形体向下延伸的径向外支腿；

在所述径向内支腿和所述径向外支腿之间的空腔；以及

配置为容纳边缘环提升销的P个凹槽，其中：

所述P个凹槽的间距为360°/P，以及

所述P个凹槽位于所述径向外支腿的径向内表面上，与所述径向外支腿的底表面相邻，其中，P为大于2的整数。

2.根据权利要求1所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述P个凹槽中的每一个包括相对于所述环形体的中心在径向方向上延伸的顶点。

3.根据权利要求1所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述P个凹槽中的每一个包括：

第一空腔；以及

具有“V”形横截面的第二空腔。

4.根据权利要求3所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述第二空腔包括第一壁和第二壁以及在所述第一壁和所述第二壁之间的顶点，其中，所述第一壁和所述第二壁形成在75°至105°范围内的角度。

5.根据权利要求3所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述第一空腔具有矩形的横截面。

6.根据权利要求3所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述第二空腔包括在安装时在平行于衬底的平面中延伸的顶点。

7.根据权利要求6所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述顶点相对于所述环形体的中心部分在径向方向上延伸。

8.根据权利要求1所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，在所述径向内支腿和所述径向外支腿之间的位置处的所述环形体的厚度t在0.5mm至10mm的范围内。

9.根据权利要求1所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，在所述径向内支腿和所述径向外支腿之间的位置处的所述环形体的厚度t在0.5mm至5mm的范围内。

10.根据权利要求9所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述环形体的顶表面包括倾斜部分，所述倾斜部分在朝着所述环形体的径向外边缘的方向上线性地向下倾斜。

11.根据权利要求10所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述倾斜部分从所述顶表面的上部到所述顶表面的下部线性地向下倾斜竖直距离d。

12.根据权利要求11所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，d大于或等于t。

13.根据权利要求11所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，d在t至3t的范围内。

14.根据权利要求11所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，d在0.25*t至t的范围内。

15.根据权利要求11所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述顶表面的上部和所述顶表面的下部被布置成在安装时平行于包括衬底的平面。

16.根据权利要求10所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，从所述空腔的所述径向外边缘到所述顶表面开始向下倾斜的位置的水平距离h在0mm至10mm的范围内。

17.根据权利要求1所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中：

所述环形体由导电材料制成；以及

所述空腔配置为容纳导电边缘环。