[实用新型]一种方便靶材轧制的胶塞及胶套有效
| 申请号: | 202020356688.8 | 申请日: | 2020-03-19 |
| 公开(公告)号: | CN212051631U | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
| 发明(设计)人: | 姚力军;郭红波;潘杰;王学泽;丁跃跃 | 申请(专利权)人: | 宁波江丰钨钼材料有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;B22F3/04 |
| 代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 王岩 |
| 地址: | 315460 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 方便 轧制 | ||
本实用新型提供了一种方便靶材轧制的胶塞及胶套,所述胶塞与粉末接触面为内凹拱形面;所述内凹拱形面的跨度方向与胶塞的宽度方向相同,所述胶套包括至少1个胶塞。本实用新型通过改变胶塞与靶材粉末接触面的形状,使冷等静压处理后的靶坯一侧具有拱形头部,使靶坯在压制过程中拱形头部与轧辊的咬入角减少,使靶坯咬入顺利,保证轧制的连续进行,从而加快了轧制进度与效率,保证了制备得到的靶材质量。
技术领域
本实用新型属于靶材制备技术领域,涉及一种靶材制作设备,尤其涉及一种方便靶材轧制的胶带机胶套。
背景技术
磁控溅射是物理气相沉积技术中的一种,包括直流溅射法、溅射镀膜以及直流磁控溅射技术,所述溅射镀膜时在真空条件下利用荷能离子轰击靶表面,使被击出的粒子沉积在基片上的技术。
根据应用的不同可将靶材分为半导体领域应用靶材、记录介质用靶材、显示薄膜用靶材、光学靶材与超导靶材等。靶材以高纯度金属为原料,经过锻造、轧制、热处理以及机加工等工艺,使所述高纯度金属内部晶粒尺寸减小、致密度增加,从而形成溅射性能符合要求的靶材,靶材的溅射性能制约着镀膜的力学性能,影响镀膜质量。
以钼铌合金溅射靶材为例,CN 110257784 A公开了一种高致密度钼铌合金溅射靶材的制作工艺,包括:原料混合;胶套装粉作业;冷等静压作业,升压至一定压力后,保压一定时间,然后泄压,最后将压制坯从胶套去除;真空烧结或氢气保护烧结;热等静压作业,对烧结坯直接进行热等静压作业;热轧,对钼铌合金进行金属包套轧制,热轧后退火去除应力;进行磨削等机加工,得到最终所需产品尺寸。
以二硫化钼溅射靶材为例,CN 107815654 A公开了一种制备二硫化钼溅射靶材的方法,包括:(1)将二硫化钼原料粉末进行低压压制处理,得到二硫化钼坯料;(2)将二硫化钼坯料在惰性气体保护下进行球磨,得到二硫化钼粉末;(3)将二硫化钼粉末装入胶套进行冷等静压出理,得到二硫化钼成型坯料;(4) 将二硫化钼成型坯料装入包套中,抽真空焊封后进行热等静压烧结处理,再除去包套,得到二硫化钼靶材粗品;(5)将二硫化钼靶材粗品进行机加工与清洗,得到二硫化钼溅射靶材。
上述方法为对靶材制作过程中工艺条件的优化,然而现有技术中对靶坯进行轧制时,靶坯进入轧制辊的一侧与轧辊的咬入角较大,轧辊咬入靶坯的瞬间,靶坯与轧辊的接触面较小,摩擦力小,导致靶坯咬入困难,进而影响了靶坯的轧制效率与质量;更甚者会出现卡料现象,影响设备的正常进行。
CN 110788146 A公开了一种靶材的轧制装置及轧制方法,所述轧制装置包括:轧机主体,轧机主体包括:上轧辊和下轧辊,上轧辊的旋转中心轴和下轧辊的旋转中心轴平行,上轧辊和下轧辊之间具有缝隙;自动运载平台位于轧机主体的侧部,用于传送靶材至上轧辊和下轧辊之间;自动运载平台包括:基台,电机组、若干传动滚棒和若干轴承,电机组用于驱动各传动滚棒围绕传动滚棒的中心轴旋转。
上述装置通过轧机主体以及自动运载平台的设计使需要轧制的靶材能够输送至上轧辊和下轧辊之间,但在为对靶材形状进行改进的前提下,仍然存在进料不流畅,容易卡料的缺陷。
针对现有技术中存在的缺陷,提供一种增加待轧制靶材与轧辊接触面积的方法,能够显著提高轧制效率并降低轧制过程中卡料的风险,从而提高靶材的轧制质量。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足,本实用新型的目的在于提供一种方便靶材轧制的胶塞及胶套,通过改变胶塞的形状,使冷等静压处理后的靶坯一侧具有拱形头部,使靶坯在压制过程中拱形头部与轧辊的咬入角减少,使靶坯咬入顺利,保证轧制的连续进行,从而加快了轧制进度与效率,保证了制备得到的靶材质量。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
第一方面,本实用新型提供了一种方便靶材轧制的胶塞,所述方便靶材轧制的胶塞与粉末接触面为内凹拱形面;所述内凹拱形面的跨度方向与胶塞的宽度方向相同。
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