[发明专利]基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的钳位电路在审
| 申请号： | 202011640730.X | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112787646A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 马浩文;王凯;沈凡翔;王子豪;李张南;顾郅扬;胡心怡;柴智;陈辉;常峻淞;李龙飞 | 申请（专利权）人： | 南京威派视半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/30 | 分类号： | H03K17/30 |
| 代理公司： | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人： | 张学彪 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江宁区麒*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 复合 介质 双晶 光敏 探测器 电路 | ||
1.一种基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的钳位电路，复合介质栅双晶体管光敏探测器包括源端和漏端，其特征在于，包括运算放大器和源跟随晶体管，所述运算放大器包括同相端、反相端和输出端，所述源跟随晶体管包括栅端和漏端，所述运算放大器的同相端与参考电位相连，所述运算放大器的反相端与所述源跟随晶体管的漏端和所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的漏端相连，所述运算放大器的输出端与所述源跟随晶体管的栅端相连，所述源跟随晶体管的源端与读出电路相连。
2.根据权利要求1所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的钳位电路，其特征在于：
所述基于复合介质栅双晶体管光敏探测器包括MOS-C部分和MOSFET部分，所述MOSFET部分设置在所述MOS-C部分的一侧，
所述MOS-C部分包括在第一P型半导体衬底上方依次叠设的第一底层介质层、第一电荷耦合层、第二顶层介质层和第一控制栅极；
所述MOSFET部分包括在第二P型半导体衬底上方依次叠设的第二底层介质层、第二电荷耦合层、第二顶层介质层和第二控制栅极；
所述第二底层介质层和第一底层介质层连接，所述第二电荷耦合层和第一电荷耦合层连接，所述第二顶层介质层和第一顶层介质层连接，所述第二控制栅极与第一控制栅板连接。
3.根据权利要求2所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的钳位电路，其特征在于：所述第二P型半导体衬底靠近所述第二底层介质层的一侧设置有N型源极区和N型漏极区。
4.根据权利要求2所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的钳位电路，其特征在于：所述第二P型半导体衬底靠近所述第二底层介质层的一侧设置有阈值调节注入区。
5.根据权利要求2所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的钳位电路，其特征在于：所述第一底层介质层、第一电荷耦合层、第二顶层介质层和第一控制栅极的宽度均为a，所述第二底层介质层、第二电荷耦合层、第二顶层介质层和第二控制栅极的宽度均为b，其中，b为a/3-2a/3。
6.一种基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的模数转换电路，其特征在于，多个复合介质栅双晶体管光敏探测器组成阵列，其中，每行所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的漏端相连构成位线，每条所述位线均连接如权利要求1-5任一项所述的钳位电路。
7.如权利要求6所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的模数转换电路，其特征在于，每行所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的栅端相连构成字线，源端相连构成源线。
8.如权利要求6所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的模数转换电路，其特征在于，多个所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的衬底相连构成P衬底端，所述P衬底端放置在深N型阱内。
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