[发明专利]光电器件

说明书

本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述量子点发光层中包含核壳结构的量子点材料，所述量子点材料的外壳层为ZnS，所述空穴传输层中空穴传输材料的价带顶能级的绝对值小于等于6.0eV。本申请提供的光电器件，ZnS外壳材料的价带能级更深，要构建价带顶能级差(ΔE_EML‑HTL)大于等于0.5eV，则空穴传输材料的价带顶能级需要小于等于6.0eV。此时，ΔE_EML‑HTL≥0.5eV，构建了空穴注入势垒，降低空穴注入速率，平衡发光层中电子空穴的注入效率，避免载流子积累，提高发光效率。

技术领域

本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件。

背景技术

量子点发光显示技术(QLED)是近年来迅速兴起的一种新型显示技术，QLED与有机发光显示(OLED)类似，均为主动发光技术，因此同样具有发光效率高、响应速度快、对比度高、可视角度宽等优点。由于QLED显示技术中量子点自身所具有的优良材料特性，使得QLED在众多方面比OLED更具性能优势，如：量子点的发光连续可调且发光宽度极窄，可实现更广色域更高纯度显示；量子点的无机材料特性使得QLED具有更好的器件稳定性；QLED器件的驱动电压比OLED更低，能实现更高亮度并进一步降低能耗；同时QLED显示技术与印刷显示的生产工艺和技术相匹配，能够实现大尺寸、低成本、可卷曲的高效量产制备。因此，QLED被认为是未来轻薄，便携，柔性，透明，高性能的下一代显示屏幕的首选技术之一。

由于QLED与OLED显示技术在发光原理上的相似性，因此，目前在QLED显示技术的开发过程中，QLED的器件结构更多地都是借鉴OLED显示技术，除了发光层材料由有机发光材料替换为量子点材料外，其他功能层材料诸如电荷注入层或电荷传输层等材料往往是利用OLED中已有的材料。同时对于QLED器件中器件物理的解释、功能层材料能级的选择和搭配原则等也均是遵循OLED中的已有理论体系。将OLED器件研究中所得到经典器件物理结论应用到QLED器件体系中，确实对于QLED器件性能起到了显著的提升效果，尤其是QLED器件效率。

但是，目前OLED中所形成的经典思路和策略均无法实现对QLED器件寿命的有效提升，而且通过OLED器件经典思路和策略虽然能提高QLED器件效率，但研究发现这些高效QLED器件的器件寿命却显著差于具有更低效率的相似器件。因此，现有的基于OLED器件理论体系所设计的QLED器件结构并不能同时提升QLED器件的光电效率和寿命性能。对应于QLED器件体系所具有的独特的器件机制，需要开发新的更具有针对性的新QLED器件结构。

发明内容

本申请的目的在于提供一种光电器件，旨在一定程度上解决现有技术难以同时提高QLED器件的光电效率和寿命性能的问题。

为实现上述申请目的，本申请采用的技术方案如下：

本申请提供一种光电器件，包括：阳极、在所述阳极上的空穴传输层、在所述空穴传输层上的量子点发光层和在所述量子点发光层上的阴极，所述量子点发光层中包含核壳结构的量子点材料，所述量子点材料的外壳层为ZnS，所述空穴传输层中空穴传输材料的价带顶能级的绝对值小于等于6.0eV。

本申请提供的光电器件，在量子点材料的外壳层具体为ZnS的前提下，根据ZnS的能级等特性，设计了光电器件的优选结构。具体地，ZnS外壳材料的价带能级更深(能级绝对值更大)，要构建价带顶能级差(ΔE_EML-HTL)大于等于0.5eV，则空穴传输材料的价带顶能级需要小于等于6.0eV。此时，ΔE_EML-HTL≥0.5eV，构建了空穴注入势垒，降低空穴注入速率，平衡发光层中电子空穴的注入效率，避免载流子积累，提高发光效率。

附图说明