[发明专利]背照式图像传感器及制备方法

权利要求书

1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底，具有第一导电类型，所述半导体衬底具有第一面和与所述第一面相对的第二面；

第二导电类型外延层，覆盖所述半导体衬底的第一面；

光电二极管，位于第二导电类型外延层内；

第一导电类型电荷积累区和第二导电类型沟道区，分别位于所述光电二极管表面，且所述第二导电类型沟道区环绕所述第一导电类型电荷积累区；

隔离环，环绕所述光电二极管和所述第二导电类型沟道区，且贯穿所述半导体衬底和所述第二导电类型外延层；

第一导电类型源区，沿所述隔离环内壁，自所述第二导电类型沟道区表面延伸至所述第二导电类型沟道区内，且环绕所述第一导电类型电荷积累区，所述第二导电类型沟道区隔离所述第一导电类型源区和所述第一导电类型电荷积累区；

栅极，覆盖所述第一导电类型电荷积累区表面，且沿第一方向延伸越过所述第二导电类型沟道区表面，直至所述第一导电类型源区的表面；其中，

所述光电二极管包括第二导电类型感光区和第一导电类型感光区，所述第一导电类型感光区位于所述第二导电类型感光区上，且覆盖所述第二导电类型感光区表面。

2.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，还包括：感光器件和遮光层，分别位于所述半导体衬底的第二面，其中，所述感光器件对应覆盖所述光电二极管，所述遮光层环绕所述感光器件，且对应覆盖所述隔离环。

3.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述隔离环包括第一沟槽隔离环和第二沟槽隔离环，所述第一沟槽隔离环自所述第二导电类型外延层表面延伸至所述第二导电类型外延层内；所述第二沟槽隔离环自所述半导体衬底的第二面贯穿所述半导体衬底，且延伸至所述第二导电类型外延层内；所述第二沟槽隔离环的底面和所述第一沟槽隔离环的底面相连。

4.如权利要求3所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第一沟槽隔离环的顶面高于所述第二导电类型外延层表面。

5.如权利要求3所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第一沟槽隔离环的底面与所述半导体衬底第一面的垂直距离小于所述光电二极管的底面与所述半导体衬底第一面的垂直距离。

6.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，第一导电类型为P型时，第二导电类型为N型；第一导电类型为N型时，第二导电类型为P型。