[发明专利]一种半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 202011424911.9 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112233978B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 宋富冉;许宗能;蔡君正;周儒领 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底上包括垫氧化层；
形成光阻层于所述垫氧化层上，所述光阻层暴露出部分所述垫氧化层；
通过干法刻蚀对暴露出的所述垫氧化层进行刻蚀，以在所述垫氧化层中形成至少一凹部，其中所述凹部的底部包括残留氧化层，所述残留氧化层的厚度小于所述垫氧化层的厚度；
移除所述光阻层，并形成介质层于所述垫氧化层上，所述介质层覆盖所述残留氧化层；
通过干法刻蚀移除位于所述垫氧化层和所述残留氧化层上的所述介质层，保留与所述凹部侧壁接触的所述介质层，以形成介质侧墙；
通过湿法刻蚀移除所述残留氧化层，其中在移除所述残留氧化层的同时，还对所述衬底上的所述垫氧化层进行部分刻蚀；
通过湿法刻蚀移除所述介质侧墙，其中刻蚀液对所述介质侧墙的刻蚀速率大于对所述衬底的刻蚀速率；
其中，所述衬底包括多个隔离结构，所述隔离结构凸出于所述垫氧化层；所述隔离结构将所述衬底至少隔离成高压区，中压区和低压区；
其中，所述光阻层覆盖所述高压区以及与所述高压区相邻的所述隔离结构，暴露出位于所述中压区和所述低压区上的部分所述垫氧化层；
其中，与所述高压区相邻的所述隔离结构的两侧包括第一介质侧墙和第二介质侧墙，所述第一介质侧墙位于所述高压区上，所述第二介质侧墙位于所述中压区或所述低压区上；
其中，所述第二介质侧墙的高度大于所述第一介质侧墙的高度。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述凹部位于所述中压区和所述低压区上，在刻蚀所述中压区和所述低压区上的所述垫氧化层的同时，刻蚀气体还对暴露出的所述隔离结构进行刻蚀。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，通过氢氟酸溶液移除所述残留氧化层，在移除所述残留氧化层的同时，还对所述隔离结构进行部分刻蚀。
4.根据权利要求3所述半导体结构的制造方法，其特征在于，所述隔离结构经过刻蚀之后，所述第一介质侧墙和所述第二介质侧墙凸出于所述隔离结构。
5.根据权利要求1所述半导体结构的制造方法，其特征在于，在移除所述残留氧化层之后，所述介质侧墙凸出于所述垫氧化层。
6.根据权利要求1所述半导体结构的制造方法，其特征在于，通过磷酸溶液移除所述介质侧墙。
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