[发明专利]增进接合良率的发光二极管结构

权利要求书

1.一种增进接合良率的发光二极管结构，其特征在于，包括：

一发光二极管，该发光二极管的一面包括一凸台结构；

多个接触电极，设置在该凸台结构上，所述多个接触电极于俯视时为彼此分离；

一绝缘层结构，设置在所述多个接触电极上；

多个接合电极，设置在该绝缘层结构上并分别覆盖至少一个所述多个接触电极，其中一个所述多个接合电极远离该发光二极管的一面具有一第一平台和一第二平台，该第二平台位于该第一平台上且相较于该第一平台远离该凸台结构，该第二平台在该发光二极管上的垂直投影的表面积小于该第一平台在该发光二极管上的垂直投影的表面积，且该第二平台的垂直投影位于该第一平台的垂直投影内。

2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该绝缘层结构与该凸台结构和所述多个接触电极的表面形貌共形，且所述多个接合电极与该绝缘层结构的表面形貌共形。

3.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，各该第二平台在该发光二极管上的垂直投影的表面积小于80平方微米，该发光二极管同该垂直投影平面延伸方向的表面积介于100平方微米至10000平方微米。

4.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该绝缘层结构包括一第一绝缘层和一第二绝缘层，该第一绝缘层接触并设置在该发光二极管的侧壁和上表面以及该凸台结构的侧面和表面，且该第二绝缘层设置在该第一绝缘层上并与该第一绝缘层共形。

5.根据权利要求4所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括一镜面导体层，设置在该第一绝缘层和该第二绝缘层之间，该镜面导体层接触所述多个接触电极。

6.根据权利要求5所述的发光二极管结构，其特征在于，该第二绝缘层具有一通孔，所述多个接合电极当中的一个通过该通孔与该镜面导体层接触。

7.根据权利要求6所述的发光二极管结构，其特征在于，该通孔在该发光二极管上的垂直投影范围与所述多个接触电极在该发光二极管上的垂直投影范围分隔开。

8.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该第二平台在该发光二极管上的垂直投影与其中一个所述多个接触电极在该发光二极管上的垂直投影至少部分重叠。

9.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括一镜面导体层，设置在该凸台结构与该绝缘层结构之间且覆盖所述多个接触电极。

10.根据权利要求9所述的发光二极管结构，其特征在于，该绝缘层结构具有一通孔，所述多个接合电极当中的一个通过该通孔与该镜面导体层接触，且该通孔在该发光二极管上的垂直投影范围与所述多个接触电极在该发光二极管上的垂直投影范围分隔开。