[发明专利]一种芯片版图及芯片在审
| 申请号： | 202011299238.0 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114520223A | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 江文 | 申请（专利权）人： | 炬芯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 刘彩红 |
| 地址： | 519085 广东省珠海市高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 版图 | ||
1.一种芯片版图，其特征在于，包括：至少一个工艺层；
至少部分所述工艺层包括图形密度小于预设值的第一区域，所述第一区域内设置有防静电保护模块。
2.如权利要求1所述的芯片版图，其特征在于，所述防静电保护模块包括：钳位电路。
3.如权利要求1所述的芯片版图，其特征在于，所述防静电保护模块具有第一端和第二端，所述第一端与电源线连接，所述第二端接地。
4.如权利要求1所述的芯片版图，其特征在于，每个所述第一区域中设置有至少一个所述防静电保护模块。
5.如权利要求1所述的芯片版图，其特征在于，所述防静电保护模块占据的区域面积小于或等于所述第一区域的面积。
6.如权利要求1所述的芯片版图，其特征在于，所述防静电保护模块占据的区域外轮廓形状与所述第一区域的形状相同。
7.如权利要求1所述的芯片版图，其特征在于，所述第一区域包括第二区域，所述第二区域的图形密度小于所述预设值，所述第二区域内设置有补充模块；其中所述补充模块包括：去耦电容或浮空的虚拟块。
8.如权利要求7所述的芯片版图，其特征在于，所述第二区域包括高频电路子区，所述高频电路子区内设置的所述补充模块为所述去耦电容。
9.如权利要求7所述的芯片版图，其特征在于，所述去耦电容的第一端与参考电压信号线连接，第二端接地。
10.一种芯片，其特征在于，根据如权利要求1-9任一项所述芯片版图制作。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
