[发明专利]一种清洗抛光垫的方法及装置在审

专利信息
申请号: 202011223294.6 申请日: 2020-11-05
公开(公告)号: CN114434332A 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 王建新 申请(专利权)人: 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
主分类号: B24B53/017 分类号: B24B53/017;B24B49/00
代理公司: 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 代理人: 沈寒酉;王渝
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 清洗 抛光 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种清洗抛光垫的方法,其特征在于,所述方法包括:

高压清洗喷头按照设定角度向抛光垫上的目标区域喷射去离子水流时,通过在所述抛光垫上方的设定位置所设置的压力传感器感应反射水流的压力值;其中,所述反射水流由所述去离子水流经所述目标区域反射后形成;

相应于所述反射水流的压力值大于设定的第一压力阈值,延长所述高压清洗喷头向所述目标区域喷射去离子水流的时长;

相应于所述反射水流的压力值小于设定的第二压力阈值,移动所述高压清洗喷头以向所述目标区域的下一区域喷射去离子水;其中,所述第二压力阈值小于所述第一压力阈值。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,相应于所述反射水流的压力值大于设定的第一压力阈值,所述方法还包括:

增加所述高压清洗喷头向所述目标区域喷射去离子水流的水压。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述延长所述高压清洗喷头向所述目标区域喷射去离子水流的时长,包括:

降低所述高压清洗喷头在所述目标区域上方空间内的移动速度。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,相应于所述反射水流的压力值小于所述第一压力阈值且大于所述第二压力阈值,所述方法还包括:

所述高压清洗喷头在所述目标区域上方空间内按照初始移动速度移动。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

将所述高压清洗喷头向所述目标区域喷射去离子水流的水压保持在设定的水压范围内。

6.一种清洗抛光垫的装置,其特征在于,所述装置包括:

高压清洗臂;

设置于所述高压清洗臂一端的高压清洗喷头,所述高压清洗喷头的喷射方向能够调节,用于按照设定角度向抛光垫上的目标区域喷射去离子水流;

设置于所述高压清洗臂另一端的移动马达,通过控制所述高压清洗臂的移动以带动所述高压清洗喷头的移动;

设置在与所述高压清洗喷头相距设定距离且抛光垫上方的设定位置的压力传感器,用于感应反射水流的压力值;其中,所述反射水流由所述去离子水流经所述目标区域反射后形成;

控制器,用于相应于所述反射水流的压力值大于设定的第一压力阈值,通过控制移动马达的工作状态延长所述高压清洗喷头向所述目标区域喷射去离子水流的时长;

相应于所述反射水流的压力值小于设定的第二压力阈值,通过控制移动马达的工作状态移动所述高压清洗喷头以向所述目标区域的下一区域喷射去离子水;其中,所述第二压力阈值小于所述第一压力阈值。

7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:去离子水供应部分,用于为所述高压清洗喷头提供设定水压的去离子水;

所述控制器,还用于相应于所述反射水流的压力值大于设定的第一压力阈值,提高所述去离子水供应部分向所述高压清洗喷头供应的去离子水的水压,以增加所述高压清洗喷头向所述目标区域喷射去离子水流的水压。

8.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述控制器,还用于通过降低所述移动马达的功率以降低所述高压清洗喷头在所述目标区域上方空间内的移动速度。

9.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述控制器,还用于相应于所述反射水流的压力值小于所述第一压力阈值且大于所述第二压力阈值,通过改变所述移动马达的功率以使所述高压清洗喷头在所述目标区域上方空间内按照初始移动速度移动。

10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:去离子水供应部分,用于为所述高压清洗喷头提供设定水压的去离子水;

所述控制器,还用于按照设定的水压范围设定所述去离子水供应部分向所述高压清洗喷头供应的去离子水的水压,以将所述高压清洗喷头向所述目标区域喷射去离子水流的水压保持在所述水压范围内。

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