[发明专利]显示面板及其制备方法在审
| 申请号: | 202011169643.0 | 申请日: | 2020-10-28 |
| 公开(公告)号: | CN112310316A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
| 发明(设计)人: | 王坤 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何辉 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底层;
第一电极层,所述第一电极层设置于所述衬底层上;
像素定义层,所述像素定义层设置于所述第一电极层上,所述像素定义层设置有多个开口,所述开口暴露所述第一电极层;
间隔体,所述间隔体设置于所述像素定义层上,所述间隔体围绕所述开口设置;
发光部,所述发光部设置于所述开口中;以及
第二电极层,所述第二电极层覆盖在所述像素定义层、所述间隔体以及所述发光部上,所述第二电极层与所述间隔体的交界处具有反射面。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述间隔体的表面具有凹凸结构。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述间隔体的垂直截面形状为半圆形或半椭圆形。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述间隔体的厚度为1000纳米-2000纳米。
5.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一衬底层;
在所述衬底层上形成第一电极层;
在所述第一电极层上形成有机材料层,图案化所述有机材料层形成像素定义层、间隔体和开口,所述开口贯穿所述像素定义层,且所述开口暴露所述第一电极层,所述间隔体形成在所述像素定义层上,所述间隔体围绕所述开口设置;
将掩膜板与所述间隔体直接贴合设置;以及
在所述开口中蒸镀发光部材料形成发光部。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述第一电极层上形成有机材料层,图案化所述有机材料层形成像素定义层、间隔体和开口的步骤中,包括:
提供一掩膜板,所述掩膜板包括第一透光部、第二透光部和不透光部,所述第一透光部的透光率大于所述第二透光部;
将所述第一透光部对应于所述有机材料层的第一区域,将所述第二透光部对应于所述有机材料层的第二区域,将所述不透光部对应于所述有机材料层的第三区域;
对所述有机材料层进行曝光和显影处理,于所述第一区域形成所述开口,于所述第二区域形成所述像素定义层,于所述第三区域形成所述间隔体。
7.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述开口中蒸镀发光部材料形成发光部的步骤中,包括:
所述掩膜板具有透过口,所述透过口与所述开口对应设置,所述发光部材料经过所述透过口蒸镀至所述开口中,形成发光部。
8.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述开口中蒸镀发光部材料形成发光部的步骤之后,还包括:
在所述像素定义层、所述间隔体以及所述发光部上形成第二电极层,所述第二电极层与所述间隔体的交界处形成反射面。
9.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述间隔体的表面具有凹凸结构。
10.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述间隔体的垂直截面形状为半圆形或半椭圆形。
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