[发明专利]改善寄生沟道效应的NS-FET及其制备方法

权利要求书

1.一种改善寄生沟道效应的NS-FET制备方法，包括：

操作S1：在衬底上生长外延层并在外延层上制备掩膜；

操作S2：对应所述掩膜刻蚀部分衬底形成鳍条部，刻蚀整个外延层形成沟道部；

操作S3：在所述鳍条部的两侧台面区填充隔离材料形成隔离区；

操作S4：制备侧墙包裹所述沟道部；

操作S5：去除部分所述隔离材料并刻蚀窄化裸露出的鳍条部生成鳍条，去除所述侧墙及所述掩膜后，制作栅极和源漏，完成改善寄生沟道效应的NS-FET的器件制备。

2.根据权利要求1所述的制备方法，所述步骤S5还包括，完全去除所述隔离材料，整体刻蚀窄化鳍条部形成鳍条，重新填充隔离材料使其包裹所述鳍条的下部形成隔离区，制作栅极和源漏后完成改善寄生沟道效应的NS-FET的器件制备。

3.根据权利要求1所述的制备方法，所述外延层为交替外延生长的锗硅层和硅层。

4.根据权利要求1所述的制备方法，操作S3中，在鳍条部的两侧台面区填充的隔离材料填充至鳍条部和沟道部的交界处附近。

5.根据权利要求1所述的制备方法，所述隔离材料为Oxide。

6.一种改善寄生沟道效应的NS-FET，采用以上权利要求1至5任一项所述的制备方法制备而成，所述改善寄生沟道效应的NS-FET，包括：

衬底，其上部制备有凸出的鳍条；

沟道部，覆于所述鳍条上，其宽度大于所述鳍条的上部的宽度；以及

隔离区，位于所述鳍条的下部的两侧。

7.根据权利要求6所述的改善寄生沟道效应的NS-FET，所述凸出的鳍条两侧分别形成有台面区，所述台面区用于填充隔离材料形成隔离区。