[发明专利]一种复合三维石墨烯电极及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种复合三维石墨烯电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)利用等离子体处理三维石墨烯电极的表面，得到等离子体处理的三维石墨烯电极；

(2)采用电化学辅助自组装法在等离子体处理的三维石墨烯电极表面制备二氧化硅纳米均孔薄膜，包括：

a、将硅源和表面活性剂制成前驱体溶液，并调整pH为2.0～6.0；

b、采用三电极体系，以等离子体处理的三维石墨烯电极为工作电极且为负极，浸入前驱体溶液中，在工作电极上施加恒定的电流，工作电极表面沉积孔道内含有表面活性剂胶束的二氧化硅纳米均孔薄膜，经老化后制得含胶束的复合三维石墨烯电极；

c、将含胶束的复合三维石墨烯电极置于盐酸-乙醇溶液中去除表面活性剂胶束，制得所述的复合三维石墨烯电极。

2.如权利要求1所述的复合三维石墨烯电极的制备方法，其特征在于，所述三维石墨烯电极为通过化学气相沉积法制备的三维大孔石墨烯电极。

3.如权利要求1所述的复合三维石墨烯电极的制备方法，其特征在于，所述等离子体为空气等离子体或氧等离子体。

4.如权利要求1所述的复合三维石墨烯电极的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，将三维石墨烯电极置于等离子体环境中处理3～60s；等离子体的发生条件为：真空度10～12Pa，功率100～140W。

5.如权利要求4所述的复合三维石墨烯电极的制备方法，其特征在于，所述前驱体溶液中硅源以硅计的浓度为0.10mol/L～0.60mol/L；所述硅源以硅计与表面活性剂的摩尔比为1.5～6.0:1。

6.如权利要求4所述的复合三维石墨烯电极的制备方法，其特征在于，步骤b中，施加的电流为1～20mA，电沉积时间为1～150s。

7.如权利要求1-6任一项所述的制备方法制得的复合三维石墨烯电极。

8.如权利要求7所述的复合三维石墨烯电极在检测电化学有机小分子中的应用。

9.如权利要求8所述的应用，其特征在于，所述电化学有机小分子为尿酸。