[发明专利]一种超小样品背面抛光处理的方法

说明书

本发明提供一种超小样品背面抛光处理的方法，将超小尺寸芯片正面朝下粘在第一垫片上；将拼接垫片拼在所述芯片的周围；对芯片冷却固定；对芯片背面抛光；将第一垫片加热并取下芯片和拼接垫片备用；将芯片正面朝上粘在载玻片上并冷却固定；对芯片正面扎针，背面获取热点；将装有芯片的载玻片加热，取下芯片；将芯片正面朝上置于涂有AB胶的第二垫片上，并将研磨与芯片同一高度的拼接垫片严丝合缝拼在芯片周围之后加热并固定冷却；对样品正面去层，并确定热点周围的失效位置。本发明可使超小样品背面抛光的难度大大降低，使得后续分析得以进行，同时为后续磨片提供合适高度的拼接垫片，降低磨片难度。极大提高制样成功率，辅助推动在线工艺的改善，进而提升产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种超小样品背面抛光处理的方法。

背景技术

半导体的失效分析流程为先进行电性验证失效模式，采用电性手段和物性手段进行失效定位，从而找到根本原因。失效分析是在一个厘米或毫米量级的芯片上，需要手动逐层研磨找到纳米级别的失效点。而随着制造技术的不断发展，样品尺寸不断减小，对样品的失效分析的处理要求越来越高。

超小封装样品由于样品背面减薄，样品背面粗糙凹凸且存在刮痕。在物性去除样品封装后，样品背面的残留以及刮痕，会造成在利用光发射显微镜(Photon EmissionMicroscope)获取热点时的干扰。因此必须对超小样品的背面进行抛光，从而排除获取电性热点时的干扰。

但由于超小样品非常小且薄(长宽尺寸约1mm×0.5mm)，在常规手动抛光处理超小样品时由于研磨盘表面有水(借助水来减小摩擦)，样品会漂浮在水面，且手指上的丁腈手套并非严丝合缝，手指按压样品并在在研磨盘上转动样品时样品经常会翻面，从而正面受损，制样失败率极高。

因此，有必要提出一种新的方法来降低芯片背面抛光与磨片难度，提高制样成功率。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种超小样品背面抛光处理的方法，用于解决现有技术中对于超小样品在失效分析中热点获取困难，背面抛光与磨片难度大，从而导致制样成功率低的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种超小样品背面抛光处理的方法，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供用于失效分析的芯片；

步骤二、将所述芯片正面朝下粘在涂有热熔胶的第一垫片上；

步骤三、提供四个盖玻片作为拼接垫片，将所述拼接垫片拼在所述芯片的周围；

步骤四、检查所述芯片与其周围的所述拼接垫片的缝隙大小，并调整拼接程度直至所述拼接垫片严丝合缝拼在所述芯片周围为止；

步骤五、对所述芯片进行冷却固定；

步骤六、在手动研磨机上用钻石砂纸对所述芯片背面进行抛光，使得所述拼接垫片与所述芯片具有相同高度；

步骤七、将所述第一垫片放在所述加热台上进行加热并取下所述芯片和所述拼接垫片备用；

步骤八、提供一载玻片，将所述芯片正面朝上粘在涂有热熔胶的所述载玻片上，并冷却固定；

步骤九、通过背面式发射显微镜对所述芯片正面扎针，背面获取热点；

步骤十、将装有所述芯片的所述载玻片放在加热台上加热，取下所述芯片；

步骤十一、将所述芯片正面朝上置于涂有AB胶的第二垫片上，并将步骤七中的所述拼接垫片拼在所述芯片的周围；之后检查所述芯片与其周围的所述拼接垫片的缝隙大小，并调整拼接程度直至所述拼接垫片严丝合缝拼在所述芯片周围为止；所述第二垫片、芯片和其周围的所述拼接垫片构成样品；