[发明专利]一种超小样品背面抛光处理的方法

权利要求书

1.一种超小样品背面抛光处理的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供用于失效分析的芯片；

步骤二、将所述芯片正面朝下粘在涂有热熔胶的第一垫片上；

步骤三、提供四个盖玻片作为拼接垫片，将所述拼接垫片拼在所述芯片的周围；

步骤四、检查所述芯片与其周围的所述拼接垫片的缝隙大小，并调整拼接程度直至所述拼接垫片严丝合缝拼在所述芯片周围为止；

步骤五、对所述芯片进行冷却固定；

步骤六、在手动研磨机上用钻石砂纸对所述芯片背面进行抛光，使得所述拼接垫片与所述芯片具有相同高度；

步骤七、将所述第一垫片放在加热台上进行加热并取下所述芯片和所述拼接垫片备用；

步骤八、提供一载玻片，将所述芯片正面朝上粘在涂有热熔胶的所述载玻片上，并冷却固定；

步骤九、通过背面式发射显微镜对所述芯片正面扎针，背面获取热点；

步骤十、将装有所述芯片的所述载玻片放在加热台上加热，取下所述芯片；

步骤十一、将所述芯片正面朝上置于涂有AB胶的第二垫片上，并将步骤七中的所述拼接垫片拼在所述芯片的周围；之后检查所述芯片与其周围的所述拼接垫片的缝隙大小，并调整拼接程度直至所述拼接垫片严丝合缝拼在所述芯片周围为止；所述第二垫片、芯片和其周围的所述拼接垫片构成样品；

步骤十二、在加热台上加热所述样品，当所述芯片和所述垫片固定在所述第二垫片上后，对所述样品进行冷却；

步骤十三、对所述样品正面去层处理，并利用扫描显微镜确定所述热点周围的失效位置。

2.根据权利要求1所述的超小样品背面抛光处理的方法，其特征在于：步骤一中的所述芯片为通过加热发烟硝酸去除超小样品的封装而获取背面减薄的芯片。

3.根据权利要求2所述的超小样品背面抛光处理的方法，其特征在于：步骤一中的所述芯片的尺寸约为1mm×0.5mm。

4.根据权利要求1所述的超小样品背面抛光处理的方法，其特征在于：步骤二中将所述芯片粘在涂有热熔胶的所述第一垫片上的方法包括：先选择光片作为所述第一垫片；将所述第一垫片倒角后放在加热台上进行加热；之后将热熔胶均匀涂在加热的第一垫片上；接着将所述芯片正面朝下粘在所述第一垫片上。

5.根据权利要求4所述的超小样品背面抛光处理的方法，其特征在于：步骤二中的所述第一垫片是尺寸约10mm×15mm的光片。

6.根据权利要求1所述的超小样品背面抛光处理的方法，其特征在于：步骤四中用光学显微镜检查所述芯片与其周围的所述拼接垫片的缝隙大小。

7.根据权利要求1所述的超小样品背面抛光处理的方法，其特征在于：步骤八中提供一载玻片，并将所述载玻片放在加热台上进行加热；之后在所述载玻片上涂热熔胶。

8.根据权利要求1所述的超小样品背面抛光处理的方法，其特征在于：步骤十一中将所述芯片置于涂有AB胶的所述第二垫片上的方法包括：先选择光片作为所述第二垫片；将所述第二垫片倒角后将AB胶均匀涂在第二垫片上；接着将所述芯片正面朝上置于所述第二垫片上。

9.根据权利要求8所述的超小样品背面抛光处理的方法，其特征在于：步骤十一中的所述第二垫片是尺寸约10mm×15mm的光片。

10.根据权利要求1所述的超小样品背面抛光处理的方法，其特征在于：步骤十一中用光学显微镜检查所述芯片与其周围的所述拼接垫片的缝隙大小。

11.根据权利要求1所述的超小样品背面抛光处理的方法，其特征在于：该方法还包括步骤十四、通过透射电镜对所述失效位置确定其失效机理。