[发明专利]存储装置的读写方法及存储装置

说明书

本发明提供一种存储装置的读写方法及存储装置，所述存储装置包括存储芯片，所述存储装置读写方法是，在存储芯片运行期间，测量所述存储芯片的温度，并根据所述温度调节存储芯片的写恢复时间。本发明的优点在于，能够根据所述存储芯片的温度调节所述存储芯片的写恢复时间，从而使得存储芯片执行的写恢复时间与存储芯片在进行读写操作时的实际发生的写恢复时间基本一致，避免出现数据丢失或者运行速度降低的情况。

技术领域

本发明涉及半导体存储领域，尤其涉及一种存储装置的读写方法及存储装置。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，其存储阵列区由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

温度对存储器写入存在较大影响，在低温环境中，对存储器进行写入时，存在写入时间较长的情况，可能会导致前一次写入未完成就开始下一次预充电，进行寻址，那么前一次写入的数据就会不完整，造成丢数据的情况，从而导致写入的稳定性不高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种存储装置的读写方法及存储装置，其能够避免前一次写入未完成就开始下一次预充电的情况发生，提高存储装置写入的稳定性。

为了解决上述问题，本发明提供了一种存储装置的读写方法，所述存储装置包括存储芯片，在存储芯片运行期间，测量所述存储芯片的温度，并根据所述温度调节存储芯片的写恢复时间。

进一步，调节所述存储芯片的写恢复时间包括延长所述写恢复时间或缩短所述写恢复时间。

进一步，当所述存储芯片的温度升高时，缩短所述写恢复时间，当所述存储芯片的温度降低时，延长所述写恢复时间。

进一步，提供温度与写恢复时间的对应关系，测量所述存储芯片的温度后，根据温度与写恢复时间的对应关系将所述温度对应的写恢复时间设置为所述存储芯片的当前写恢复时间。

进一步，所述温度与写恢复时间的对应关系被预先设置。

进一步，所述存储芯片具有默认的写恢复时间，当所述存储芯片启动时，以所述默认的写恢复时间作为所述存储芯片的当前的写恢复时间。

进一步，在存储芯片启动前，检测所述存储芯片的温度，并将所述温度对应的写恢复时间作为所述存储芯片的当前写恢复时间。

进一步，在存储芯片运行期间，按设定周期测量所述存储芯片的温度，并根据所述温度调节存储芯片的写恢复时间。

进一步，在存储芯片运行期间，在所述存储芯片收到设定命令后，测量所述存储芯片的温度，并根据所述温度调节存储芯片的写恢复时间。

本发明还提供一种存储装置，其包括：存储芯片；温度检测单元，用于检测所述存储芯片的温度；控制芯片，与所述存储芯片及所述温度检测单元电连接，用于根据所述温度调节存储芯片的写恢复时间。

进一步，所述存储装置具有查询表，所述查询表记录所述温度与写恢复时间的对应关系，所述控制芯片能够根据所述查询表的记录调节存储芯片的写恢复时间。

进一步，所述温度检测单元设置在所述存储芯片或者所述控制芯片中。

进一步，所述存储装置还包括线路基板，所述线路基板中具有连接线路，所述存储芯片以及控制芯片均位于所述线路基板上，所述存储芯片和控制芯片通过所述线路基板中的所述连接线路电连接，所述温度检测单元设置在所述线路基板上