[发明专利]存储装置的读写方法及存储装置在审
| 申请号: | 202010919721.8 | 申请日: | 2020-09-04 |
| 公开(公告)号: | CN114141287A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
| 发明(设计)人: | 寗树梁 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406;G11C11/409 |
| 代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储 装置 读写 方法 | ||
1.一种存储装置的读写方法,其特征在于,所述存储装置包括存储芯片,在存储芯片运行期间,测量所述存储芯片的温度,并根据所述温度调节存储芯片的写恢复时间。
2.根据权利要求1所述的存储装置的读写方法,其特征在于,调节所述存储芯片的写恢复时间包括延长所述写恢复时间或缩短所述写恢复时间。
3.根据权利要求2所述的存储装置的读写方法,其特征在于,当所述存储芯片的温度升高时,缩短所述写恢复时间,当所述存储芯片的温度降低时,延长所述写恢复时间。
4.根据权利要求1所述的存储装置的读写方法,其特征在于,提供温度与写恢复时间的对应关系,测量所述存储芯片的温度后,根据温度与写恢复时间的对应关系将所述温度对应的写恢复时间设置为所述存储芯片的当前写恢复时间。
5.根据权利要求4所述的存储装置的读写方法,其特征在于,所述温度与写恢复时间的对应关系被预先设置。
6.根据权利要求1所述的存储装置的读写方法,其特征在于,所述存储芯片具有默认的写恢复时间,当所述存储芯片启动时,以所述默认的写恢复时间作为所述存储芯片的当前的写恢复时间。
7.根据权利要求1所述的存储装置的读写方法,其特征在于,在存储芯片启动前,检测所述存储芯片的温度,并将所述温度对应的写恢复时间作为所述存储芯片的当前写恢复时间。
8.根据权利要求1所述的存储装置的读写方法,其特征在于,在存储芯片运行期间,按设定周期测量所述存储芯片的温度,并根据所述温度调节存储芯片的写恢复时间。
9.根据权利要求1所述的存储装置的读写方法,其特征在于,在存储芯片运行期间,在所述存储芯片收到设定命令后,测量所述存储芯片的温度,并根据所述温度调节存储芯片的写恢复时间。
10.一种存储装置,其特征在于,包括:
存储芯片;
温度检测单元,用于检测所述存储芯片的温度;
控制芯片,与所述存储芯片及所述温度检测单元电连接,用于根据所述温度调节存储芯片的写恢复时间。
11.根据权利要求10所述的存储装置,其特征在于,所述存储装置具有查询表,所述查询表记录所述温度与写恢复时间的对应关系,所述控制芯片能够根据所述查询表的记录调节存储芯片的写恢复时间。
12.根据权利要求10所述的存储装置,其特征在于,所述温度检测单元设置在所述存储芯片或者所述控制芯片中。
13.根据权利要求10所述的存储装置,其特征在于,所述存储装置还包括线路基板,所述线路基板中具有连接线路,所述存储芯片以及控制芯片均位于所述线路基板上,所述存储芯片和控制芯片通过所述线路基板中的所述连接线路电连接,所述温度检测单元设置在所述线路基板上。
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