[发明专利]一种线路板新型材料层结构的制备方法及其制品

权利要求书

1.一种线路板新型材料层结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将薄膜与铜层结合，形成FCCL单面板；

(2)将FCCL单面板放到覆膜机中，在薄膜背面设置一层半固化功能材料层，该半固化功能材料层为MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜、PTFE薄膜、抗铜离子迁移薄膜、Low-Dk高频功能胶、抗铜离子迁移胶、或具有抗铜离子迁移功能的半固化功能材料，形成线路板新型材料层结构。

2.根据权利要求1所述的线路板新型材料层结构的制备方法，其特征在于，在所述步骤(2)中，在薄膜背面以不高于200℃的温度设置半固化功能材料层。

3.根据权利要求1所述的线路板新型材料层结构的制备方法，其特征在于，在所述步骤(2)中，所述半固化功能材料层正面和背面分别具有一离型纸或一PET离型膜，在将半固化功能材料层敷到薄膜背面上之前，先将半固化功能材料层正面上的离型纸或PET离型膜撕掉。

4.根据权利要求3所述的线路板新型材料层结构的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

(3)将半固化功能材料层背面上的离型纸或PET离型膜撕掉，在半固化功能材料层背面上热压上铜箔，形成线路板新型双面材料层结构。

5.根据权利要求4所述的线路板新型材料层结构的制备方法，其特征在于，所述半固化功能材料层为MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜与PTFE薄膜中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的线路板新型材料层结构的制备方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，将铜箔压合在薄膜上，实现薄膜与铜层的结合。

7.根据权利要求1所述的线路板新型材料层结构的制备方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，在薄膜上溅镀铜，实现薄膜与铜层的结合。

8.根据权利要求1所述的线路板新型材料层结构的制备方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，在薄膜上电镀或覆合铜箔，实现薄膜与铜层的结合。

9.根据权利要求1所述的线路板新型材料层结构的制备方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，所述薄膜为PI薄膜、MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜与PTFE薄膜中的任意一种。

10.根据权利要求1所述的线路板新型材料层结构的制备方法，其特征在于，在所述步骤(2)中，所述抗铜离子迁移薄膜通过在PI薄膜中添加离子捕捉剂，然后再高度提纯获得；所述抗铜离子迁移胶通过在Adhesive胶中添加离子捕捉剂，然后再高度提纯获得；所述具有抗铜离子迁移功能的半固化功能材料通过在半固化功能材料中添加离子捕捉剂获得。

11.根据权利要求1所述的线路板新型材料层结构的制备方法，其特征在于，在所述步骤(2)中，所述Low-Dk高频功能胶通过在Adhesive胶中添加铁弗龙或LCP材料获得。

12.根据权利要求1所述的线路板新型材料层结构的制备方法，其特征在于，在所述步骤(2)中，所述半固化功能材料层与薄膜中至少有一者中添加有有色填充剂。

13.根据权利要求12所述的线路板新型材料层结构的制备方法，其特征在于，所述有色填充剂为碳化物。

14.根据权利要求1所述的线路板新型材料层结构的制备方法，其特征在于，在所述步骤(2)中，所述半固化功能材料层与薄膜均为透明层。