[发明专利]基于电荷迁移带边缘反常热猝灭的荧光强度比测温方法

权利要求书

1.一种基于电荷迁移带边缘反常热猝灭的荧光强度比测温方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、制备NaLaCaWO₆:Eu³⁺温度敏感材料，并将该温度敏感材料放置到荧光光谱仪的高温样品仓；

步骤2、温度控制平台在298到523K温度区间进行加热，每个标定温度的温度间隔为25K，设定监测波长为615nm，记录样品激发光谱在308nm处强度以及在电荷迁移带边缘354nm处强度；在298至523K温度区间内对激发光谱308nm处荧光强度带和电荷迁移带边缘354nm处荧光强度进行积分，并将积分得到的值进行除法运算；

步骤3、每个标定温度处均得到一个荧光强度比值，用origin软件处理后获得拟合曲线，根据拟合曲线得到荧光强度比值和标定温度之间的对应函数关系FIR＝0.0057*exp(T/117.66)-0.0449，其中FIR就是激发光谱在308nm处强度以及在电荷迁移带边缘354nm处荧光强度比值，T是绝对温度；

步骤3、将NaLaCaWO₆:Eu³⁺温度敏感材料放置于待测环境，然后将NaLaCaWO₆:Eu³⁺温度敏感材料在激发光谱在308nm处强度以及在电荷迁移带边缘354nm处荧光强度比值代入步骤(3)的函数，即得到待测环境的温度，完成基于电荷迁移带反常热猝灭的荧光强度比测温方法。

2.根据权利要求1所述的一种基于电荷迁移带边缘反常热猝灭的荧光强度比测温方法，其特征在于，所述步骤1高温样品仓采用型号为FLS920，以450W的氙灯作为激发光源，温度控制平台采用TAP-02(Orient-KOJI)型控温仓。

3.根据权利要求1或2所述的一种基于电荷迁移带边缘反常热猝灭的荧光强度比测温方法，其特征在于，所述步骤1中NaLaCaWO₆:Eu³⁺温度敏感材料的制备方法为高温固相法，煅烧温度为1250℃，保温时间为6个小时；NaLaCaWO₆:Eu³⁺温度敏感材料中稀土Eu³⁺的摩尔百分比为30％。

4.根据权利要求1所述的一种基于电荷迁移带边缘反常热猝灭的荧光强度比测温方法，其特征在于，所述步骤2在298至523K温度区间内对激发光谱308nm处荧光强度带和电荷迁移带边缘354nm处荧光强度进行积分，并将积分得到的值进行除法运算，即I₃₅₄/I₃₀₈，激发强度I₃₀₈、I₃₅₄是通过origin软件在305-310nm、351-356nm范围对激发光谱积分得到的值。

5.根据权利要求1所述的一种基于电荷迁移带边缘反常热猝灭的荧光强度比测温方法，其特征在于，所述步骤3基于最小二乘法原理，利用origin软件对荧光强度比值进行拟合，从而获得荧光强度比值与标定温度间的函数关系式。

6.根据权利要求3所述的一种基于电荷迁移带边缘反常热猝灭的荧光强度比测温方法，其特征在于，稀土Eu³⁺离子的主发射荧光带位于615nm，因此监测波长选择615nm，在298到523K的温度区间内通过改变样品的温度来获得样品的变温激发光谱。