[发明专利]红外检测设备和包括红外检测设备的红外检测系统

说明书

提供了红外检测设备和包括红外检测设备的红外检测系统。红外检测设备包括至少一个红外检测器，所述至少一个红外检测器包括衬底、缓冲层和至少一个光吸收部分。所述缓冲层包括超晶格结构。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年2月3日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2020-0012623的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文中。

技术领域

示例实施例涉及红外检测设备和包括红外检测设备的红外检测系统。

背景技术

通常，虽然红外图像形成在人眼无法感知图像的波长区域中，但是红外相机使用红外检测设备并生成能够被人眼感知的图像。这种红外图像被应用于诸如国防工业、医疗设备、监视和安全等各种领域。

发明内容

一个或多个示例实施例提供红外检测设备和包括红外检测设备的红外检测系统。

附加方面部分地将在接下来的描述中进行阐述，且部分地将通过该描述而变得清楚明白，或者可以通过实践本公开所呈现的实施例而获知。

根据示例实施例的一个方面，提供了一种红外检测设备，包括：

至少一个红外检测器，

其中，所述至少一个红外检测器包括：

衬底；

缓冲层，设置在所述衬底上或上方并具有超晶格结构；以及

至少一个光吸收部分，设置在所述缓冲层上或上方。

所述衬底可以包括GaAs。

所述衬底可以包括硅(Si)，并且所述至少一个红外检测器还可以包括设置在所述衬底上或上方的第一半导体层，所述第一半导体层包括GaAs和AlAs中的至少一个。

所述至少一个红外检测器还可以包括设置在所述衬底与所述第一半导体层之间的第二半导体层。所述第二半导体层可以包括锗(Ge)、GaP和AlP中的至少一个。

所述衬底可以包括锗(Ge)，并且所述至少一个红外检测器还可以包括设置在所述衬底上或上方的半导体层，所述半导体层包括GaAs和AlAs中的至少一个。

所述缓冲层可以包括：超晶格层，包括交替地生长在所述衬底上或上方的至少一个第一材料层和至少一个第二材料层；以及缓冲材料层，生长在所述超晶格层上。

所述至少一个第一材料层可以包括GaAs，并且所述至少一个第二材料层可以包括AlAs。

所述缓冲材料层可以包括InP。

所述至少一个光吸收部分可以包括交替地堆叠在所述缓冲层上或上方的至少一个光吸收层和至少一个量子势垒层。

所述至少一个光吸收层可以包括量子阱、量子点和量子线中的至少一个。

所述至少一个光吸收层和所述至少一个量子势垒层中的每一个可以包括铟(In)、镓(Ga)、铝(Al)、砷(As)、磷(P)、硅(Si)、锌(Zn)和碳(C)中的至少一种。

所述至少一个红外检测器还可以包括：第一接触层，设置在所述缓冲层与所述至少一个光吸收部分之间；以及第二接触层，设置在所述至少一个光吸收部分上或上方。

所述至少一个光吸收部分可以包括堆叠在所述缓冲层上或上方且被配置为吸收不同波长范围内的光的多个光吸收部分。

所述至少一个红外检测器可以包括以一维阵列或二维阵列布置的多个红外检测器。