[发明专利]红外检测设备和包括红外检测设备的红外检测系统

权利要求书

1.一种红外检测设备，包括至少一个红外检测器，

其中，所述至少一个红外检测器包括：

衬底；

缓冲层，设置在所述衬底上或上方并具有超晶格结构；以及

至少一个光吸收部分，设置在所述缓冲层上或上方。

2.根据权利要求1所述的红外检测设备，其中，所述衬底包括GaAs。

3.根据权利要求1所述的红外检测设备，其中，所述衬底包括Si，并且所述至少一个红外检测器还包括设置在所述衬底上或上方的第一半导体层，所述第一半导体层包括GaAs和AlAs中的至少一个。

4.根据权利要求3所述的红外检测设备，其中，所述至少一个红外检测器还包括设置在所述衬底与所述第一半导体层之间的第二半导体层。

5.根据权利要求4所述的红外检测设备，其中，所述第二半导体层包括Ge、GaP和AlP中的至少一个。

6.根据权利要求1所述的红外检测设备，其中，所述衬底包括Ge，并且所述至少一个红外检测器还包括设置在所述衬底上或上方的半导体层，所述半导体层包括GaAs和AlAs中的至少一个。

7.根据权利要求1所述的红外检测设备，其中，所述缓冲层包括：

超晶格层，包括交替地生长在所述衬底上或上方的至少一个第一材料层和至少一个第二材料层；以及

缓冲材料层，生长在所述超晶格层上。

8.根据权利要求7所述的红外检测设备，其中，所述至少一个第一材料层包括GaAs，并且所述至少一个第二材料层包括AlAs。

9.根据权利要求7所述的红外检测设备，其中，所述缓冲材料层包括InP。

10.根据权利要求1所述的红外检测设备，其中，所述至少一个光吸收部分包括交替地堆叠在所述缓冲层上或上方的至少一个光吸收层和至少一个量子势垒层。

11.根据权利要求10所述的红外检测设备，其中，所述至少一个光吸收层包括量子阱、量子点和量子线中的至少一个。

12.根据权利要求10所述的红外检测设备，其中，所述至少一个光吸收层和所述至少一个量子势垒层中的每一个包括In、Ga、Al、As、P、Si、Zn和C中的至少一种。

13.根据权利要求1所述的红外检测设备，其中，所述至少一个红外检测器还包括：

第一接触层，设置在所述缓冲层与所述至少一个光吸收部分之间；以及

第二接触层，设置在所述至少一个光吸收部分上或上方。

14.根据权利要求1所述的红外检测设备，其中，所述至少一个光吸收部分包括多个光吸收部分，所述多个光吸收部分堆叠在所述缓冲层上或上方且被配置为吸收不同波长范围内的光。

15.根据权利要求1所述的红外检测设备，其中，所述至少一个红外检测器包括以一维阵列或二维阵列布置的多个红外检测器。

16.一种红外检测系统，包括：

光源；以及

红外检测设备，被配置为检测从对象反射的红外光，其中光从所述光源发射到所述对象上，

其中，所述红外检测设备包括至少一个红外检测器，所述至少一个红外检测器包括：

衬底；

缓冲层，设置在所述衬底上或上方并具有超晶格结构；以及

至少一个光吸收部分，设置在所述缓冲层上或上方。