[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本申请涉及显示技术领域，提供了一种量子点发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，以及设置在所述空穴传输层和所述量子点发光层之间的空穴阻挡层；其中，所述空穴阻挡层的材料选自氯化钾、氯化钠中的至少一种。通过采用氯化钾、氯化钠、溴化钾中的至少一种作为空穴阻挡层的材料，来增加量子点发光二极管的电子和空穴注入平衡，有效降低器件漏电流，提高量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

由于量子点(Semiconductor quantum dots，QDs)具有发光线宽窄、发光波长可调、发光色饱和度高、发光色域广等优点，加上无机纳米晶体理论寿命较长、器件稳定性好等优势，以量子点作为发光中心的量子点发光二极管(Quantum Dot Light EmittingDiodes，QLED)成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。

为了促进QLED器件的发展，人们通过改变电荷传输层材料，优化器件结构不断提升QLED器件性能。目前红光QLED器件的外量子效率高达20％以上，可以与有机发光二极管(OrganicElectroluminesence Display，OLED)器件性能相媲美，但QDs材料多采用含Cd的量子点，Cd的重金属属性限制了其使用和发展。对于绿色环保的InP量子点QLED器件性能与含Cd量子点QLED尚有一定差距，不能满足商业化需求。在倒置QLED中，空穴传输层的溶剂如氯苯、二氯苯、环己基苯、甲苯等对QD层溶解，影响了器件的发光效率和使用寿命；另外，QLED器件中存在较大的电子注入势垒，空穴注入多于电子注入，导致了空穴和电子注入不平衡，进一步影响器件的发光效率和使用寿命。

发明内容

本申请的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点发光二极管发光效率和使用寿命有待提高的问题。

为实现上述申请目的，本申请采用的技术方案如下：

第一方面，本申请提供一种量子点发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，以及设置在所述空穴传输层和所述量子点发光层之间的空穴阻挡层；其中，所述空穴阻挡层的材料选自氯化钾、氯化钠、溴化钾中的至少一种。

第二方面，本申请提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

提供含有氯化钾、氯化钠、溴化钾中的至少一种的卤盐溶液，以及阴极基板；

在所述阴极基板的表面制备量子点发光层；

在所述量子点发光层背离所述阴极基板的表面沉积所述氯化钾和/或氯化钠的溶液，热处理，制备空穴阻挡层；

在所述空穴阻挡层背离所述量子点发光层的表面沉积空穴传输材料，制备空穴传输层；

在所述空穴传输层背离所述空穴阻挡层的表面制备阳极。

本申请提供的量子点发光二极管，通过采用氯化钾、氯化钠、溴化钾中的至少一种作为空穴阻挡层的材料，来增加量子点发光二极管的电子和空穴注入平衡，有效降低器件漏电流，提高量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。

本申请提供的量子点发光二极管的制备方法，在所述量子点发光层背离所述阴极基板的表面沉积所述含有氯化钾、氯化钠、溴化钾中的至少一种的卤盐溶液，制备空穴阻挡层，以增加量子点发光二极管的电子和空穴注入平衡，有效降低器件漏电流，提高量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。

附图说明