[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，以及设置在所述空穴传输层和所述量子点发光层之间的空穴阻挡层；其中，所述空穴阻挡层的材料选自氯化钾、氯化钠、溴化钾中的至少一种。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴阻挡层的厚度为2nm～7nm。

3.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述InP/ZnSe/ZnS核壳结构量子点。

4.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于，还包括在所述阴极和所述量子点发光层之间设置的电子功能层；和/或

还包括在所述阳极和所述空穴传输层之间设置的空穴注入层。

5.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括在所述阴极和所述量子点发光层之间设置的电子传输层，以及在所述阳极和所述空穴传输层之间设置的空穴注入层；其中，

所述阴极为ITO阴极；所述电子传输层的材料为氧化锌纳米颗粒，厚度为30～70nm；所述量子点发光层的材料为InP量子点，厚度为10～30nm；所述空穴阻挡层的材料为氯化钠，厚度为2～7nm；所述空穴传输层的材料为TFB，厚度为20～30nm；所述空穴注入层的材料为氧化钼，厚度为5～10nm；所述阳极的材料为金或银，厚度为20～80nm。

6.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供含有氯化钾、氯化钠、溴化钾中的至少一种的卤盐溶液，以及阴极基板；

在所述阴极基板的表面制备量子点发光层；

在所述量子点发光层背离所述阴极基板的表面沉积所述卤盐溶液，热处理，制备空穴阻挡层；

在所述空穴阻挡层背离所述量子点发光层的表面沉积空穴传输材料，制备空穴传输层；

在所述空穴传输层背离所述空穴阻挡层的表面制备阳极。

7.如权利要求6所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述卤盐溶液中，卤盐的浓度为0.5～5mg/ml。

8.如权利要求6所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为80～120℃，时间为5～30分钟。

9.如权利要求6至8任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述卤盐溶液中，溶剂选自甘油、水中的一种。

10.如权利要求6至8任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述空穴阻挡层背离所述量子点发光层的表面沉积空穴传输材料的步骤，采用溶液加工法实现。