[发明专利]半导电屏蔽料及其制备方法和应用有效
| 申请号: | 202010676424.5 | 申请日: | 2020-07-14 |
| 公开(公告)号: | CN113930005B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
| 发明(设计)人: | 俞杰;李秀娟;张斌;谢威;赵淑群 | 申请(专利权)人: | 浙江万马高分子材料集团有限公司 |
| 主分类号: | C08L23/08 | 分类号: | C08L23/08;C08L51/06;C08K3/04 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
| 地址: | 311300 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导电 屏蔽 料及 制备 方法 应用 | ||
本发明提供一种半导电屏蔽料及其制备方法和应用。所述半导电屏蔽料,包括以下组分:乙烯‑丙烯酸丁酯共聚物,马来酸酐接枝聚乙烯,乙烯‑辛烯共聚物,导电炭黑,裂解PE蜡,硅酮,分散剂以及抗氧剂;其中,所述乙烯‑丙烯酸丁酯共聚物、所述马来酸酐接枝聚乙烯,以及所述乙烯‑辛烯共聚物的质量比为1:0.1‑1:2‑6,优选1:0.2‑0.6:3‑5。本发明的半导电屏蔽料以乙烯‑辛烯共聚物作为基体,加入乙烯‑丙烯酸丁酯共聚物与马来酸酐接枝聚乙烯,从而使得材料的挤出表面光滑平整,从根本上解决绝缘层与外屏蔽层的界面气隙问题同时使硅烷交联电缆表面电场分布更加均匀。
技术领域
本发明涉及一种半导电屏蔽料及其制备方法和应用,特别涉及一种表面光滑的且不可剥离的硅烷交联电缆绝缘用半导电屏蔽料及其制备方法,属于电缆用材料生产技术领域。
背景技术
目前,随着电缆行业标准的提高,以及硅烷交联电缆电压等级的提升,为了解决电缆表面电场分布不均匀这一难题,越来越多的硅烷交联电缆采用外屏蔽来确保电缆的安全。但是硅烷交联电缆与外屏蔽之间的界面气隙问题,一直较难解决。并且,现有的XLPE交联电缆外屏蔽体系工艺上不适用于硅烷交联绝缘电缆。另外,硅烷交联电缆绝缘交联过程中需要接触到水或者水蒸气,共挤工艺中包裹外屏蔽后会影响到硅烷交联电缆与水分的接触,从而会影响硅烷交联电缆的热延伸。
引用文献1提供了一种易剥离硅烷交联电缆用半导电外屏蔽料,其原料包括:28%VA含量的乙烯-醋酸乙烯树脂,40%VA含量的乙烯-醋酸乙烯树脂,聚丙烯,丁腈橡胶,导电炭黑,微晶蜡,微米级活化蒙脱土,自由基隔离剂,抗氧剂300#;所述28%VA含量的乙烯-醋酸乙烯树脂,40%VA含量的乙烯-醋酸乙烯树脂,丁腈橡胶,聚丙烯的质量比为18-20:20-25:9-10:6-7。但是其不能解决硅烷交联电缆与外屏蔽之间的界面气隙问题。
引用文献2提供了一种多层共挤一步法硅烷交联电缆的生产方法,其主要工艺为将经过烘干处理的聚乙烯绝缘料与硅烷在多层共挤挤出机中熔混接枝成型过程,挤出后紧密包附在导体上,形成绝缘层,在绝缘层外由半导电屏蔽料形成内屏蔽层和外屏蔽层,再通过温水交联得到硅烷交联电缆。但是该方案也不能解决硅烷交联电缆与外屏蔽之间的界面气隙问题。
引用文献:
引用文献1:CN109651694A
引用文献2:CN101226795A
发明内容
鉴于现有技术中存在的技术问题,硅烷交联电缆在制备时绝缘料在交联过程中需要接触到水或者水蒸气,共挤工艺中包裹外屏蔽层后会影响到绝缘层与水分的接触,从而影响绝缘层的热延伸,以及外屏蔽层与绝缘层的界面气隙问题等,本发明首先提供了一种半导电屏蔽料。本发明的半导电屏蔽料可以解决外屏蔽层与绝缘层的界面气隙问题同时使硅烷交联电缆表面电场分布更加均匀。
进一步地,本发明还提供了一种半导电屏蔽料的制备方法,其原料易于获取,制备步骤简单易行。
本发明提供了一种半导电屏蔽料,其包括以下组分:乙烯-丙烯酸丁酯共聚物,马来酸酐接枝聚乙烯,乙烯-辛烯共聚物,导电炭黑,裂解PE蜡,硅酮,分散剂以及抗氧剂;
其中,所述乙烯-丙烯酸丁酯共聚物、所述马来酸酐接枝聚乙烯以及所述乙烯-辛烯共聚物的质量比为1:0.1-1:2-6,优选1:0.2-0.6:3-5。
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