[发明专利]多晶硅棒的制造方法在审
| 申请号： | 202010529313.1 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN112093802A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 星野成大;石田昌彦;冈田哲郎 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅棒的制造方法，采用西门子法来制造多晶硅棒，其特征在于，包括：
沉积后通电工序，其在多晶硅的沉积工序结束后，以趋肤深度D比所述沉积工序结束时的趋肤深度D0更浅为条件来进行通电。
2.根据权利要求1所述的多晶硅棒的制造方法，其特征在于：
其中，在所述沉积后通电工序中通电的电流的频率f高于所述沉积工序结束时通电的电流的频率f0。
3.根据权利要求2所述的多晶硅棒的制造方法，其特征在于：
其中，所述沉积后通电工序作为在所述沉积工序结束后所述多晶硅棒冷却至室温期间的工序而被设置，
并且设置有将所述沉积后通电工序中的通电频率f随所述多晶硅棒的结晶温度下降而设定得更高的期间。
4.根据权利要求1所述的多晶硅棒的制造方法，其特征在于：
其中，所述趋肤深度D小于所述沉积工序结束后的所述多晶硅棒的半径R。
5.一种多晶硅棒的制造方法，采用西门子法来制造多晶硅棒，其特征在于，包括：
沉积后热处理工序，其在多晶硅的沉积工序结束后，以高于所述沉积工序结束时的结晶温度T0且低于多晶硅的溶融温度的温度T对所述多晶硅棒进行热处理，
其中，在以比所述沉积工序结束后的所述多晶硅棒的半径R更小的趋肤深度D为条件对所述多晶硅棒进行通电的同时，实施该沉积后热处理工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社，未经信越化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010529313.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：使用一个或更多个神经网络进行细胞图像合成
- 下一篇：控制装置和转向装置
