[发明专利]一种提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法在审
| 申请号： | 202010431522.2 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111613523A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 乌李瑛;程秀兰;付学成;马玲 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 原子 沉积 介质 薄膜 介电常数 方法 | ||
1.一种提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，包括如下步骤：
A、将衬底清洗后，放入原子层沉积的反应腔；
B、将第一反应前驱体通入反应腔，在衬底上形成单分子层；
C、将第二反应前驱体通入反应腔，与単分子层反应形成高介电栅介质层；
D、重复步骤B和C，以形成一定厚度的高介电栅介质层薄膜；
E、在反应腔中通入氟基等离子体，使高介电栅介质层进行氧缺陷修复，得氟化的高介电栅介质层薄膜。
2.根据权利要求1所述的提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，步骤A中，所述衬底选自CMOS或DRAM晶体管。
3.根据权利要求1所述的提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，步骤B中，所述第一反应前驱体为高介电常数的金属氧化物的前驱体。
4.根据权利要求1所述的提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，步骤B中，所述第一反应前驱体加热后，采用惰性气体作为载气，以脉冲形式引入反应腔。
5.根据权利要求1所述的提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，步骤C中，所述第二反应前驱体选自氧气、臭氧、氧等离子体、水蒸气。
6.根据权利要求1所述的提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，步骤C中，所述与単分子层反应的温度条件为200-300℃。
7.根据权利要求1所述的提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，所述步骤B、步骤C、步骤E之后，均各需采用通入惰性气体脉冲以冲洗反应残留及副产物的步骤中。
8.根据权利要求4或7所述的提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，所述惰性气体选自氮气、氩气。
9.根据权利要求1所述的提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，所述方法还包括步骤E之后，重复步骤B-E。
10.根据权利要求1所述的提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，所述方法中，衬底温度保持在恒温，且温度低于500℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
