[发明专利]一种图像传感器及电子设备

说明书

本申请公开了一种图像传感器及电子设备，该图像传感器包括衬底以及依次形成在衬底上的第一金属互连层和第二金属互连层，该衬底、第一金属互联层和第二金属互连层构成像素结构；像素结构包括有效像素区域和参考像素区域，第一金属互连层包括多个第一透光区域和位于第一透光区域之间的第一不透光区域，第二金属互连层包括多个第二透光区域和位于第二透光区域之间的第二不透光区域；在有效像素区域内的第一透光区域和第二透光区域对应设置，在参考像素区域内的第一透光区域和第二透光区域完全错位设置。本申请通过改变参考像素区域的金属走线以阻挡入射光线，缩减了参考像素和有效像素之间的距离，同时降低了芯片高度，节省成本，简化制造工艺。

技术领域

本申请一般涉及图像处理技术领域，具体涉及一种图像传感器及电子设备。

背景技术

图像传感器，是一种将光学图像转换成电子信号的器件。作为摄像头的重要组成部分，图像传感器被广泛地应用在数码相机、手机和电脑等电子设备中。根据使用元件的不同，图像传感器可以分为电荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器两大类。

暗电流(Dark Current)是图像传感器的特征指标之一，其是指光敏电阻在一定的外加电压下，当没有光照射的时候所流过的电流。暗电流产生信号的大小随着积分时间和芯片温度的变化而变化，即积分时间越长，图像传感器产生的暗电流信号越大，或者芯片温度越高，暗电流信号越大。由于暗电流信号会影响成像质量，所以图像传感器中一般会设置光学参考像素，采用有效像素输出和光学参考像素输出相减的方式，以消除暗电流对有效信号的影响。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：光学参考像素由于并不用于产生图像，仅是用来消除暗电流，因此需要对光学参考像素进行挡光，避免光学参考像素感光而影响图像质量，现有技术一般是在光学参考像素中设置一个遮光层来阻挡光线入射，如此不仅增加了图像传感器的芯片高度，生产成本高，并且制造工艺复杂；同时，此种方式还要求光学参考像素和有效像素之间的距离较长，从而造成图像传感器面积增大。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种图像传感器及电子设备，能够降低图像传感器的芯片高度，同时缩减光学参考像素和有效像素之间的距离，节省生产成本，简化制造工艺。

第一方面，本申请提供一种图像传感器，包括衬底以及依次形成在所述衬底上的第一金属互连层和第二金属互连层；

所述衬底、所述第一金属互联层和所述第二金属互连层构成像素结构，所述像素结构包括有效像素区域和参考像素区域；

所述第一金属互连层包括多个第一透光区域和位于所述第一透光区域之间的第一不透光区域，所述第二金属互连层包括多个第二透光区域和位于所述第二透光区域之间的第二不透光区域；

在所述有效像素区域内的所述第一透光区域和所述第二透光区域对应设置；在所述参考像素区域内的所述第一透光区域和所述第二透光区域完全错位设置。

可选地，在所述参考像素区域内的所述第一透光区域对应所述第二不透光区域设置，在所述参考像素区域内的所述第二透光区域对应所述第一不透光区域设置。

可选地，所述第一透光区域通过在所述第一金属互连层上开口而形成，所述第二透光区域通过在所述第二金属互连层上开口而形成。

可选地，所述参考像素区域内的所述第一透光区域小于所述有效像素区域内的所述第一透光区域，所述参考像素区域内的所述第二透光区域小于所述有效像素区域内的所述第二透光区域。

可选地，所述像素结构还包括位于所述有效像素区域和所述参考像素区域之间的无效像素区域；

在所述无效像素区域内的所述第一透光区域和所述第二透光区域对应设置。