[发明专利]一种图像传感器及电子设备在审
| 申请号: | 202010245281.2 | 申请日: | 2020-03-31 |
| 公开(公告)号: | CN113471226A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
| 发明(设计)人: | 刘坤;傅璟军 | 申请(专利权)人: | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人: | 张美君 |
| 地址: | 518119 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 图像传感器 电子设备 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,包括衬底以及依次形成在所述衬底上的第一金属互连层和第二金属互连层;
所述衬底、所述第一金属互联层和所述第二金属互连层构成像素结构,所述像素结构包括有效像素区域和参考像素区域;
所述第一金属互连层包括多个第一透光区域和位于所述第一透光区域之间的第一不透光区域,所述第二金属互连层包括多个第二透光区域和位于所述第二透光区域之间的第二不透光区域;
在所述有效像素区域内的所述第一透光区域和所述第二透光区域对应设置;在所述参考像素区域内的所述第一透光区域和所述第二透光区域完全错位设置。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,在所述参考像素区域内的所述第一透光区域对应所述第二不透光区域设置,在所述参考像素区域内的所述第二透光区域对应所述第一不透光区域设置。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第一透光区域通过在所述第一金属互连层上开口而形成,所述第二透光区域通过在所述第二金属互连层上开口而形成。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述参考像素区域内的所述第一透光区域小于所述有效像素区域内的所述第一透光区域,所述参考像素区域内的所述第二透光区域小于所述有效像素区域内的所述第二透光区域。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述像素结构还包括位于所述有效像素区域和所述参考像素区域之间的无效像素区域;
在所述无效像素区域内的所述第一透光区域和所述第二透光区域对应设置。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述像素结构在所述有效像素区域的厚度小于在所述参考像素区域的厚度。
7.根据权利要求6所述的图像传感器,其特征在于,所述像素结构在所述参考像素区域的部分具有坡度。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述像素结构还包括位于所述第二金属互联层上的彩色滤镜,以及位于所述彩色滤镜上的多个透镜;
在所述有效像素区域中,所述透镜对应所述第一透光区域和所述第二透光区域设置。
9.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述像素结构还包括光电二极管阵列,所述光电二极管阵列位于所述衬底背对所述第一金属互连层的一侧;
所述光电二极管阵列包括多个光电二极管,在所述有效像素区域内所述光电二极管对应所述第一透光区域和所述第二透光区域设置,以接收从所述第一透光区域和所述第二透光区域入射的光线。
10.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括至少一个如权利要求1至9中任意一项所述的图像传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





