[发明专利]一种太阳电池的制备方法以及由此得到的太阳电池在审
| 申请号: | 202010226291.1 | 申请日: | 2020-03-26 |
| 公开(公告)号: | CN111403554A | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
| 发明(设计)人: | 石建华;孟凡英;张丽平;韩安军;杜俊霖;刘正新 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0747 |
| 代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 宋丽荣 |
| 地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳电池 制备 方法 以及 由此 得到 | ||
1.一种太阳电池的制备方法,其特征在于,该制备方法包括如下步骤:
S1,分别提供金属化复合膜和太阳电池芯片,其中,在铜丝上包覆低温合金以得到导电细丝,然后通过复合膜支撑导电细丝来得到金属化复合膜,其中,太阳电池芯片具有导电层;
S2,将金属化复合膜铺设在太阳电池芯片的导电层上,通过热压使金属化复合膜和导电层形成欧姆接触通路,得到太阳电池。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤S2中,将金属化复合膜铺设在导电层上后,放入热压装置进行热压贴合,热压板温度控制在200℃以内,压力在100MPa以内,使得低温合金熔融贴合在导电层上,形成铜丝和导电层的良好物理接触,冷却后形成太阳电池。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,金属化复合膜中的导电细丝的数量为20-100根,铜丝直径为10-500μm,铜丝的体电阻小于1x10-6ohm.cm,且铜丝引起的遮光损失小于5%。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,金属化复合膜中的导电细丝的铜丝上包覆的低温合金的厚度为5-50μm。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤S1中,在铜丝上包覆低温合金后在低温合金上涂敷润湿剂以得到导电细丝,在所述步骤S2中,在润湿剂的辅助下,低温合金熔融贴合在导电层上形成铜丝和导电层的良好物理接触。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,金属化复合膜中的导电细丝的低温合金上涂敷的润湿剂为含有La、Zn、Cr、Ag中的至少一种的表面渗透剂。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,金属化复合膜中的复合膜为粘附性树脂材料膜,其热塑温度在30-200℃之间且小于低温合金的熔融温度,薄膜厚度在100-1000μm之间,且光学寄生吸收小于5%。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤S1中,提供太阳电池芯片的步骤包括:
S11,提供晶体硅作为基板;
S12,在晶体硅的两侧分别提供本征非晶硅/p型非晶硅薄膜叠层和本征非晶硅/n型非晶硅薄膜叠层;
S13,在本征非晶硅/p型非晶硅薄膜叠层和本征非晶硅/n型非晶硅薄膜叠层上分别提供导电层,得到太阳电池芯片。
9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,导电层由透明导电氧化物薄膜、有机导电薄膜、金属薄膜、碳基纳米管、纳米线、纳米片,石墨烯、导电掺杂微晶硅、导电掺杂晶体硅的一种或者多种叠加组成。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的制备方法得到的太阳电池。
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