[发明专利]具有表面微柱体结构的固态影像传感器暨其制作方法

权利要求书

1.一种固态影像传感器，其特征在于，包含：

第一掺杂型半导体基底；

多个像素，位于该第一掺杂型半导体基底上，每个该像素包含光电转换部位，其中该光电转换部位由第二掺杂型半导体层与半导体材料层构成，并且该第二掺杂型半导体层接触该第一掺杂型半导体基底；

抗反射部位，该抗反射部位具有多个微柱体位于该半导体材料层上，其中该些微柱体被伸入该光电转换部位的凹部所分隔，各该微柱体的折射率从底部往顶部逐渐变小并小于该半导体材料层的折射率；

微透镜，位于该抗反射部位上；以及

多个像素间阻挡部位，设置在该些像素之间。

2.根据权利要求1所述的固态影像传感器，还包含第一掺杂型外延层位于该凹部裸露出的该光电转换部位上。

3.根据权利要求1所述的固态影像传感器，还包含带有负电荷的高介电材料层，位于该些微柱体与凹部上。

4.根据权利要求1所述的固态影像传感器，其中该凹部具有锥形的底端。

5.根据权利要求1所述的固态影像传感器，其中该凹部具有{111}晶面钻石形的底端。

6.根据权利要求1所述的固态影像传感器，其中该微柱体从该半导体材料层往上依序包含氧化钛层、氮化硅层、以及氧化硅层。

7.根据权利要求1所述的固态影像传感器，其中该第一掺杂型半导体基底为P型半导体基底，该第二掺杂型半导体层为N型半导体层。

8.根据权利要求1所述的固态影像传感器，其中该第一掺杂型半导体基底为N型半导体基底，该第二掺杂型半导体层为P型半导体层。

9.根据权利要求1所述的固态影像传感器，其中该半导体材料层为第一掺杂型半导体层、第二掺杂型半导体层、本征半导体层其中之一或者组合。

10.一种固态影像传感器，其特征在于，包含：

第一掺杂型半导体基底；

多个像素，位于该第一掺杂型半导体基底上，每个该像素包含光电转换部位，其中该光电转换部位由第二掺杂型半导体层与半导体材料层构成，该第二掺杂型半导体层接触该第一掺杂型半导体基底，该半导体材料层具有多个微柱体，该些微柱体为凹部所分隔，且该凹部具有{111}晶面钻石形的底端；

微透镜，位于该半导体材料层上；以及

多个像素间阻挡部位，设置在该些像素之间。

11.根据权利要求10所述的固态影像传感器，还包含第一掺杂型外延层，形成在该半导体材料层上。

12.根据权利要求10所述的固态影像传感器，还包含带有负电荷的高介电材料层，形成在该半导体材料层上。

13.根据权利要求10所述的固态影像传感器，其中该第一掺杂型半导体基底为P型半导体基底，该第二掺杂型半导体层为N型半导体层。

14.根据权利要求10所述的固态影像传感器，其中该第一掺杂型半导体基底为N型半导体基底，该第二掺杂型半导体层为P型半导体层。

15.根据权利要求10所述的固态影像传感器，其中该半导体材料层为第一掺杂型半导体层、第二掺杂型半导体层、本征半导体层其中之一或者组合。

16.根据权利要求10所述的固态影像传感器，还包含抗反射薄膜，位于该半导体材料层上，并且该抗反射薄膜的折射率小于该半导体材料层的折射率。